產品結構：
混氣管式PECVD系統由單溫區管式爐、真空系統、質子流量計、射頻電源系統系統組成
PECVD設備是借助于光放電等方法產生等離子體，光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單。
軟件控制系統：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。
產品用途：
混氣管式PECVD系統可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、裝飾等領域。
產品參數：
- 產品型號：S-1200PC-HQ
- 氣路控制：浮子流量計/質量流量計
- 真空系統：旋片泵/擴散泵/分子泵
- 可選配件：水冷機/數顯真空計
- 溫度：1200℃(可定制)
- 工作溫度：≤1100℃(可定制)
- 加熱元件：合金加熱絲
- 溫控方式：智能化30段PID微電腦可編程控制
- 溫控保護：具有超溫及斷偶報警功能
- 熱電偶：K型
- 爐膛材質：高純氧化鋁多晶纖維
- 加熱速率：0-20℃/分
- 恒溫精度：±1℃
- 均勻性：±5℃
- 爐殼結構：雙層殼體帶風冷系統
- 額定功率：4Kw
- 極限真空：6.0×10-5Pa
- 工作真空：7.6×10-4Pa
- 供電電源：110-480V 50/60Hz
- 售后服務：12個月質保，終身保修(易損件除外)
