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F-JTDG1110晶體的電光效應

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F-JTDG1110晶體的電光效應觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區別

詳細介紹

F-JTDG1110晶體的電光效應

觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區別。
觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態，理解泡克耳斯效應的作用機理。
測量半波電壓，確定Δn與E的線性關系，繪出光的調制曲線。
用正弦電信號對晶體進行調制，實現電信號的光傳輸，理解工作點對調制、傳輸過程的影響。
外加音頻信號，實驗音頻信號的光傳輸以重現，了解光通訊中信號外調制的原理和方法。

光學實驗導軌：800mm。
實驗主機驅動電壓：Vmax≥1600V
半導體激光器：650nm, 4mW。
LN晶體附件：三維可調，通光面積：5*5mm²。
二維可調光電二極管探頭：調整范圍:±2.5mm.
二維可調擴束鏡：25倍，調制范圍：±2.5mm.
激光功率指示計：三位半數字表頭，量程：200μW, 2mW, 20mW, 200mW，可調檔。最小分辨率0.1u W。

采用半導體激光器作為光源（650nm4mW）。
晶體的通光面積為5×5mm²
驅動電壓Vmax≥1600V使現象更加清晰、完整。
可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。

關鍵詞：光電二極管

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