半導(dǎo)體刻蝕工藝就是使用物理、化學(xué)或兩者兼用的方法，有目的性地把沒(méi)被抗蝕劑掩蓋的那一部分薄膜層除去，這樣就可以在薄膜上得到與抗蝕劑膜上一模一樣的圖形。刻蝕工藝可以分成干法刻蝕工藝與濕法刻蝕工藝。通常,利用某些反應(yīng)氣體和等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕就是干法刻蝕工藝;利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕就是濕法刻蝕工藝。
濕法刻蝕特點(diǎn)
濕法刻蝕是傳統(tǒng)的刻蝕方法,具體原理是把硅片浸泡在某種化學(xué)試劑或試劑溶液中,讓沒(méi)有被抗蝕劑掩蓋的那一部分薄膜表面與試劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而被除去。其優(yōu)點(diǎn)主要在于操作比較簡(jiǎn)單方便、對(duì)設(shè)備要求較低、易于大批量生產(chǎn),并且刻蝕的選擇性也較好。但是由于化學(xué)反應(yīng)的各向異性較差,橫向的鉆蝕會(huì)使刻蝕剖面出現(xiàn)圓弧形,這讓精確控制圖形變得非常困難。濕法刻蝕的另一問(wèn)題是抗蝕劑在溶液中,特別在較高溫度的溶液中易受破壞,使得掩蓋效果不理想,所以對(duì)于那些只能在高溫下刻蝕的薄膜要采用更加復(fù)雜的掩蔽方式。
干法刻蝕特點(diǎn)
干法刻蝕是一種利用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的工藝。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí),等離子體中的這些氣體活性比常態(tài)下要強(qiáng),如果根據(jù)被刻蝕材料的不同,選擇合適的氣體,就可以更快地與材料進(jìn)行反應(yīng),實(shí)現(xiàn)化學(xué)刻蝕去除的目的。還可以利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速,使它具備一定的能量,再用于轟擊被刻蝕材料的表面時(shí),即可將其原子擊出,這樣就達(dá)到了利用物理的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。
干法刻蝕具有精度高、各向異性、刻蝕均勻性好的優(yōu)點(diǎn),滿足半導(dǎo)體器件微細(xì)加工的要求,是目前主要的刻蝕方式。
會(huì)員1.png)