富士電機(中國)有限公司
采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。
※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。
VCE(sat): at Tj=25°C, Chip
Package | Device type | VCES Volt | IC(Cont) Amps. | IC(Peak) Amps. | VCE(sat) Typ. Volts | VF Typ. Volts | Net mass Grams |
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() M651 | 6MBI400VW-065V | 650 | 200 | 400 | 2.00 (IC=400A) | 1.70 (IF=400A) | 660g |
![]() M652 | 6MBI600VW-065V | 650 | 300 | 600 | 2.00 (IC=600A) | 1.70 (IF=600A) | 900g |
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