半導體器件特性曲線掃描儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表專注于半導體電性能測試領域，基于高精度數(shù)字源表綜合實驗平臺，可提供多種實驗測量環(huán)境，搭配豐富的測試...

半導體分立器件測試儀+IV曲線掃描認準武漢普賽斯儀表，普賽斯是國內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過了市場的考驗、市面有近5...

MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體 器 件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) 字 ...

普賽斯高電壓大電流igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）...

GaN射頻功放IV測試脈沖恒壓源支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測量；主要特點有：脈沖電流大，Z高可至10A；脈沖寬度窄，Z小可低至100ns；支持...

霍爾效應是一種電磁感應現(xiàn)象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻...

普賽斯多表合一數(shù)字源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術(shù)支持；普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對標2400、...

普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激...

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

國產(chǎn)源表哪家好,認準普賽斯儀表,高新企業(yè)，普賽斯全新升級S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試...

大電流傳感器測試系統(tǒng)動靜態(tài)參數(shù)測試可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達到50A/us級上升沿、可測量KHz級帶寬等特點，能實現(xiàn)零點漂移...

IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯全新升級S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導體測試領域的經(jīng)典產(chǎn)品!

CP系列GaNGaAs高速器件IV測試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測...

普賽斯半導體功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參...

普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

普賽斯全新升級S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試領域的經(jīng)典產(chǎn)品！國產(chǎn)新一代S300B數(shù)字源...

普賽斯儀表推出的IGBT擊穿電壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

HCPL100型脈沖大電流源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

功率半導體可靠性測試數(shù)據(jù)采集卡使用高性能ADC芯片，分辨率可達16bits，最高支持2MS/s采樣率。單采集卡支持4通道，且通道間隔離。采集卡可應用于我司3插卡...