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一、概述可控硅無功補償裝置是一種動態跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置，利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關，可實現對多級電容器組的快速過零投切
一、概述
可控硅無功補償裝置是一種動態跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置，利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關，可實現對多級電容器組
的快速過零投切。裝置響應時間小于 20ms，實現功率因數補償至 0.95 以上的目的。是無功補償領域中的升級換代產品。
二、工作原理
可控制硅動態無功功率補償器采用人工智能控制，由控制器、雙向可控硅、放電電阻、電容器、電抗器、保護元件組
成。控制器實時跟蹤測量負荷的功率因素和無功電流，與預先設定的給定值進行比較，動態控制投切不同組數的電容器，以保證功率因數始終滿足設定要求。整個測量執行過程在一個周波內完成（時間小于等于20ms），控制器確保可控硅過零觸發。確保投切電容器無沖擊、無通流、無過渡過程。既動態快速跟蹤負荷變化，又克服了傳統無功補償器對電容器所產生的危害和自身固有的缺陷。
三、主要參數
響應時間 | <20ms |
調節方式 | 三相調節 |
控制量 | 無功功率、功率因數 |
控制精度 | 0.5% |
四、技術特點
1. 采用雙向反并聯晶閘管，可實現無觸點電子開關，延長開關使用壽命。
2. 實現過零投切，無沖擊、無通流和過壓。
3. 全數字化控制，液晶顯示，操作方便。
4. 投切速度快，t<20ms
5. 在規定的動態響應時間內，多級補償一次到位，補償后功率因數大于 0.95。
6. 抑制電壓閃變。
7. 在外部故障或停電時自動退出，送電后自動恢復運行。
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