硅壓阻壓力傳感器是采用硅壓阻原理，利用單晶硅良好的機械性能和電學性能，通過擴散或離子注入工藝將對壓力敏感的電阻注入到感壓薄膜中，實現感壓元件和轉換電路的集成而制作的傳感器。其特性評價如下：
制作工藝兼容
該傳感器制作工藝相對簡單，且MEMS工藝與IC工藝兼融，成本相對較低。通過結構設計，可提高性能 利用芯片結構設計，其靈敏度可以做得很高，實現微、低壓力的測量。利用“雙島結構”可實現10Ka的硅微壓傳感器，利用“梁膜結構”可實現1Ka的硅微微壓傳感器稱重傳感器。利用硅壓阻壓力傳感器的結構設計，可實現隔離膜片充液封裝，提高硅壓阻壓力傳感器的可靠性和穩定性。
線性好
硅壓阻壓力傳感器，輸入和輸出之間存在著良好的線性關系，由于硅壓阻壓力傳感器通常有四個力敏電阻組成全橋式的惠斯登橋路，四個電阻雖都受到橫向壓力，且有相似的非線性特性，但構成全橋時，非線性特性可相互抵消，因此非線性可以做得很小。
工藝成熟
硅壓阻壓力傳感器制作工藝成熟，生產廠家通常提供恒流、恒壓供電的溫度補償網絡。
缺點
從原理上講，硅壓阻壓力傳感器是以硅材料為基礎的物性型傳感器，硅材料受環境溫度影響較大，會產生很大的零點溫度漂移和靈敏度溫度漂移，且形式多樣，對提高器件的穩定性很不利，同時硅壓阻壓力傳感器必須進行溫度補償，否則工業上很難應用；建立一套完整的溫度補償技術，不僅增加成本，同時也增加了人力資源，從某種意義上來說，極大地限制了硅壓阻壓力傳感器位移傳感器的廣泛應用。更多壓力傳感器相關文章請見滄正傳感
