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亞納秒被動調Q微芯片激光器

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產品型號FPALP-PULSELAS-P

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更新時間：2023-03-30 10:30:00瀏覽次數：99次

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產品簡介

亞納秒被動調Q微芯片激光器PULSELAS-P系列是Alphalas公司被動Q開關微片激光器.納秒被動調Q微芯片激光器提供了各種被動調Q激光器，脈沖持續時間低于1ns，峰值功率為1064nm，光束輪廓為TEM00

詳細介紹

亞納秒被動調Q微芯片激光器PULSELAS®-P系列是Alphalas公司被動Q開關微片激光器.納秒被動調Q微芯片激光器提供了各種被動調Q激光器，脈沖持續時間低于1ns，峰值功率為1064nm，光束輪廓為TEM00。PULSELAS®-P激光器采用專有微芯片設計。單片激光腔對準，因此非常穩定。
亞納秒被動調Q微芯片激光器高功率版本可提供超過1.5 mJ的脈沖，脈沖持續時間為1納秒，因此可直接從用于微芯片激光器的振蕩器（無放大器）獲得大于1.5 MW的峰值功率。各種型號的重復頻率高達100kHz，平均功率范圍為100MW至1W。
亞納秒被動調Q微芯片激光器內置頻率發生器和外部TTL觸發是大多數型號的標準功能。還可選擇轉換為綠色（532nm）和紫外線（355 nm、266 nm）。
亞納秒被動調Q微芯片激光器極其可靠和穩健的微芯片設計非常適合*的OEM工業應用。緊湊的設計幾乎任何系統集成。光纖抽運選項提供了更緊湊、更靈活的性能。
亞納秒被動調Q微芯片激光器具有極其廣泛的應用范圍，從光子晶體光纖中產生超連續光譜到內燃機點火和微納加工。
亞納秒被動調Q微芯片激光器特點
被動調Q技術
結構非常緊湊
專有微芯片設計
1064nm的亞納秒脈沖
市場上可直接從振蕩器獲得的峰值功率（>1.5 MW）和脈沖能量（>1.5 mJ）
重復頻率高達100KHZ
平均功率高達1 W
外部觸發，抖動低
頻率轉換為532nm,355和266納米（可選）
其他波長（如946 nm、1342 nm）可根據要求使用納秒脈沖
亞納秒被動調Q微芯片激光器應用
材料加工
激光微納微細加工
極硬材料（如鉆石）的標記和切割
非線性光學
超連續譜產生
時間分辨熒光測量
DNA分析
激光雷達與激光測距
污染監測
激光誘導擊穿光譜（LIBS）
、內燃機和氣體混合物的點火
亞納秒被動調Q微芯片激光器規格參數

型號	Pulselas-P- 1064-100	Pulselas-P- 1064-200	Pulselas-P- ???????1064-300FC	Pulselas-P- ???????1064-100-HP	Pulselas-P- ???????1064-400-HP	Pulselas-P- ???????1064-100-HE	Pulselas-P- ???????1064-150-HE
波長	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm
能量	6-10μJ @5KHZ	6-10μJ @5KHZ	15-20μJ @5KHZ	120μJ @1KHZ	400μJ @100HZ	1000μJ @100HZ	1500μJ @100HZ
平均功率	100mW@10KHZ	200mW@20KHZ	300mW@20KHZ	150mW@1KHZ	40mW@100HZ	100mW@100HZ	150mW@100HZ
脈寬	800ps	800ps	800ps	900ps	1000ps	900ps	1100ps
重復頻率	10KHZ	20KHZ	15KHZ	2KHZ	0.15KHZ	0-0.1KHZ	0-0.1KHZ
光束質量	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00
偏振比	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1
光斑直徑	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm
發散角（全角）	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad
功率穩定性（1h)	<2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS
工作溫度	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃