這款深能級(jí)瞬態(tài)譜儀DLTS是專(zhuān)業(yè)為檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)設(shè)計(jì)的深能級(jí)瞬態(tài)光譜儀器。
深能級(jí)瞬態(tài)譜儀Deep Level Transient Spectroscopy,可以給出與陷阱有關(guān)的密度,熱交叉選擇，能級(jí),空間分布等。通過(guò)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體結(jié)在不同溫度下的脈沖產(chǎn)生的電容、電流或電荷瞬變,可產(chǎn)生每個(gè)深度級(jí)別的光譜,每個(gè)深能級(jí)都有一個(gè)峰值。峰的高度與陷阱密度成正比，其符號(hào)允許區(qū)分少數(shù)和多數(shù)陷阱，并且溫度軸上的峰的位置導(dǎo)致確定熱發(fā)射和俘獲（活化能和橫截面）的基本參數(shù)。該方法的應(yīng)用導(dǎo)致了新現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，并為理解半導(dǎo)體器件的材料加工提供了*的工具。
深能級(jí)瞬態(tài)譜儀DLTS特點(diǎn)
監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體電學(xué)性能的有效而靈敏方法
監(jiān)測(cè)大塊缺陷或界面缺陷
確定缺陷密度,活化能、熱截面、空間分布、俘獲率和發(fā)射率
適合樣品類(lèi)型：P-N結(jié),肖特基二極管,MOS結(jié)構(gòu),LEDs,FETs,半導(dǎo)體激光器,高阻和半絕緣材料
高靈敏度：探測(cè)大量本體缺陷密度<<109 atoms/cm3.
測(cè)量模式包括：C-V, C-T, I-V, I-T, DLTS, DDLTS, CCDLTS, DDLTS/CCDLTS, CTS, ITS, PICTS, QTS, Fast Pulse Interface, High Voltage Interface & Multiple Correlation.
模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶植入新的功能
專(zhuān)有電容表提供3微秒響應(yīng)時(shí)間，快速恢復(fù)過(guò)載和高抗泄漏電流。
自動(dòng)抑制60dB電容
監(jiān)測(cè)溫度掃描過(guò)程中樣品漏電
快速溫度掃描：100k@8分鐘
寬廣溫度范圍：10K~800K
一次溫度掃描中同時(shí)產(chǎn)生8個(gè)不同速率窗口的光譜
數(shù)字采集包括16位分辨率、1微秒采樣增量、5年時(shí)間跨度和對(duì)平均瞬變次數(shù)無(wú)限制。
實(shí)驗(yàn)參數(shù)和過(guò)程控制
脈寬，脈沖幅值，脈沖周期和DC等
初始溫度，最終溫度，溫度增量和掃描時(shí)間
數(shù)據(jù)采集速率和平均的循環(huán)數(shù)
存儲(chǔ)，繪圖，分析光譜
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