孚光精儀(中國)有限公司
這款多功能緊湊型MBE系統具有三個腔室,適合用于А3В5,寬帶А2В6和А3N化合物(訂制版本)的生長,MBE系統設計吸收了這些材料系統中分子束外延的成果,非常適合用于半導體材料領域中基于А3В5寬帶А2В6和III氮化物的材料生長研發
烘烤后生長室的最終真空度,Torr | <5×10-11 |
基板直徑,mm | 76.2 (3″) |
3″基板的厚度和成分不均勻度,% | ±1 |
生長機械手加熱元件的設計 | PBN/PG/PBN |
旋轉時的基板溫度,℃: –對于A3B5/A2B6化合物,不少于 –對于A3N化合物,不少于 | 900 1200 |
制備室加熱階段基板脫氣的溫度,℃ | 650(III氮化物版本為1100) |
生長室烘烤溫度,不低于,℃ | 200 |
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