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III族氮化物分子束外延系統

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產品型號FPSEM-STE3N

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更新時間：2021-08-16 18:45:18瀏覽次數：151次

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產品簡介

這款III族氮化物分子束外延系統專業為A3N材料生長設計的MBE設備,適合氨氣高溫下制備生長A3N半導體材料,提供非常廣泛的可用生長參數（有效氮通量、襯底溫度、生長過程中的真空度）

詳細介紹

這款III族氮化物分子束外延系統專業為A3N材料生長設計的MBE設備,適合氨氣高溫下制備生長A3N半導體材料,提供非常廣泛的可用生長參數（有效氮通量、襯底溫度、生長過程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系統設計在襯底上提供*的溫度（>1200℃）以及在長生長周期中加熱階段的可靠工作。利用氨作為活性氮源，可以生長出高質量、厚的AlN/AlGaN緩沖層。這項技術的結果是生長出位錯密度極低的活性層，為分子束外延（MBE）創造了記錄。
III族氮化物分子束外延系統系列有兩種（STE3N2）和三種（STE3N3）基本類型，配備有緩沖準備室。除了NH3注入器外，III族氮化物分子束外延系統還可能配備氮等離子體源（可選），用于生長InGaN、InAlN和InAlN的活性層藻類：MgIn與氨水混合。
III族氮化物分子束外延系統采用襯底支架和生長操縱器的加熱臺的設計，用于III氮化物生長的所有類型襯底（藍寶石、SiC、Si、AlN）提供了非常高的加熱均勻性。允許襯底直徑100mm,用于基礎和應用研發以及基于III型氮化物的高質量外延片的試生產。

III族氮化物分子束外延系統主要特點：
•特殊的*設計和經批準的生長反應器，在NH3環境和基質溫度下提供關鍵系統組件的長期可靠運行
•超大液氮冷凍板，用于有效的氨氣泵送，在高NH3負荷下提供連續生長
•鋁源，特殊設計，延長使用壽命，在氨氣環境下提供超過2μm/h的AlN生長速率，無金屬蠕變
•能夠生長質量與在不匹配襯底上生長的MOCVD層相當的GaN外延層
•在系統基本配置中對生長過程進行現場監測的所有必要工具
•獲得的基板支架設計，在整個晶圓上提供高溫均勻性
•高溫生長操縱器，在不低于1200°С的生長溫度下提供高質量AlN層的連續生長
•在210-135 mm范圍內改變“源-基”距離的能力，以使用不同類型的電池和晶片OD優化均勻性
•STE3N2雙腔型緊湊型“封裝外形”
•安裝期間的有效技術支持，包括基本工藝轉移
•簡單的系統操作和定期的技術維護
III族氮化物分子束外延系統主要選項：
•準備室，帶有用于基板支架（7個）和脫氣臺的存儲盒，原子氫源專用端口
•額外的滲出細胞（5、15、25、35、60 cc的坩堝）
•附加PID調節器電源單元
•射頻等離子體氮源，帶有帶MFC的氮氣供應管線
•SiH₄氣體噴射器和帶MFC的氣體供應管線
•Bayard-Alpert型束流監測器（BFM）
•在渦輪泵中提供額外的原子基底，以及分子泵制備
•帶電源裝置的鈦升華泵
•額外的基板支架，包括用于非標準尺寸樣品的適配器
•系統運行的起始材料（Ga、Al、In、NH₃、N₂、Si、Mg、鈦金屬化藍寶石晶片等）
•基于相分離器的液氮供應系統
•額外的備件和附件套件
III族氮化物分子束外延系統參數：

烘烤后生長室的最終真空度，Torr	<5×10^-11
基板直徑，mm	100
3″基板的厚度和成分不均勻度，%	±1
生長機械手加熱元件的設計	PBN/PG/PBN
基板表面溫度，℃	1200
生長室壓力，Torr： –基板溫度為970°С，氨流量為400 sccm –基底溫度為1200°С，氨流量為100 sccm –基底溫度為500°С，氨流量為1000 sccm	<1×10-5 <5×10-6 <1×10-5
生長幾何學	可調，“源到基片”距離135-210 mm
集成分析	RHEED、BFM（可選）、RGA、激光干涉儀、紅外高溫計
制備室中基板退火的溫度，不低于，℃	1100
氨工作流量，sccm	100
生長室的烘烤溫度，不低于，℃	200，無熱點形成
工藝過程自動化	操作員通過控制界面進行手動控制或通過配方執行工藝