這款高壓PVD系統配置適合在晶圓濺射金屬膜,磁性材料,多組分氧化物,得益于它靈活的配置和特殊的晶圓加熱器設計,PVD可以在溫度900℃的襯底上濺射金屬膜層和磁性材料,容納晶圓直徑為150mm,訂制后可容納200mm直徑晶圓
這款高壓PVD系統配置適合在晶圓濺射金屬膜,磁性材料,多組分氧化物,得益于它靈活的配置和特殊的晶圓加熱器設計,PVD可以在溫度900℃的襯底上濺射金屬膜層和磁性材料,容納晶圓直徑為150mm,訂制后可容納200mm直徑晶圓。
高壓PVD系統特點
•最多3個磁控管源，靶材為∅76,2 mm
•過程氣體：Ar、H2、O2、N2
•磁控管源位于柔性支架上，可聚焦到單點（共焦幾何結構），以提供共沉積模式
•每個磁控管源的主快門或單獨快門（可選）
•可能安裝電子束源和/或熱阻蒸發器以及用于基板清潔的離子源（可選）
•多功能真空沉積系統，可配備各種PVD源和高溫晶圓加熱
•用2-3個磁控管沉積多組分薄膜
•從2-3個磁控管源同時濺射相同的目標材料，以在∅100-150 mm基板上提供的均勻性
•可能升級多達7個磁控管源，以便使用旋轉式晶圓安裝逐個沉積材料
高壓PVD系統規格參數
工藝過程反應器中的極限壓力: 不小于<1×10-7(<1×10-8 in UHV version)
達到預處理真空的時間（<5×10^-6Torr）在TMP 550 l/sand,干渦旋泵35m3/h時: 不超過2min
沉積過程中晶圓旋轉的速度范圍: 0~20rpm
晶圓加熱溫度： 900°С
泵送系統性能：–渦輪分子泵，不小于500l/s
–干式渦旋泵，不小于35m3/h
