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電子束蒸發系統

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產品型號FPSEM-STE-EB71

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更新時間：2021-08-16 18:38:08瀏覽次數：157次

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產品簡介

電子束蒸發系統是按照從實驗室到工廠的方法設計的電子束鍍膜蒸發系統,既適用于密集的研發活動，也適用于中試生產

詳細介紹

電子束蒸發系統是按照“從實驗室到工廠”的方法設計的電子束鍍膜蒸發系統,既適用于密集的研發活動，也適用于中試生產。
考慮到“提離”工藝的具體特點，該電子束蒸發系統適用于直徑不超過200mm的單晶片以及安裝在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉積。
電子束蒸發系統特點
•工藝室由不銹鋼制成，配有ConFlat密封件、集成壁水冷卻和基于500 l/s強大離子泵的干式泵送系統
•系統設計在微波電子用半導體器件生產中得到了很好的驗證
•采用專門開發的“掩模”技術，厚度不均勻性在直徑達200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通過在350-500mm范圍內改變“基板到蒸發器”的距離來優化材料消耗的能力；特別是，工作距離為350 mm時，黃金消耗量為3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接觸電阻分別為0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm（在STE RTA100系統中接觸退火后）
•開發了基于ITO薄膜的p-GaN透明接觸
•鋁沉積速率不低于60Å/s
•W沉積速率不小于1Å/s
從支架中心到鈦層∅180 mm（3×∅3''晶圓）的厚度分布，在STE EB71（旋轉，“掩模”技術）獲得。

電子束蒸發系統規格參數
沉積腔體內剩余壓力: <5×10^-7Torr
達到預處理真空的時間（<5×10^-8Torr）: 不超過20min
離子束（離子能20~300eV): 可選配
加熱處理晶圓數量：：500 （900可選）
沉積腔烘培溫度： 150℃
同事處理晶圓： 6個@2英寸，3個@3英寸，1個@∅100mm，∅150mm，∅200mm
電子束蒸發陰極功率：6KW
加速電壓：8KV

關鍵詞：蒸發器