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微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜儀

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更新時(shí)間：2021-08-16 15:22:46瀏覽次數(shù)：128次

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微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜儀采用微波技術(shù)探測(cè)材料的光生電流瞬態(tài)光譜值,非常適合溫度依賴的少子壽命測(cè)量和半導(dǎo)體界面陷阱

詳細(xì)介紹

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜儀采用微波技術(shù)探測(cè)材料的光生電流瞬態(tài)光譜值,非常適合溫度依賴的少子壽命測(cè)量和半導(dǎo)體界面陷阱。
微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜儀特點(diǎn)
靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復(fù)性精度：> 99.5%，測(cè)量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長(zhǎng)激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來(lái)自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

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