激光切割分析探針臺集成分析探針臺和半導體激光修調trimming系統,適合半導體分析切割,失效分析,半導體修調trimming,結構層移除,標記等諸多應用
激光切割分析探針臺集成分析探針臺和半導體激光修調trimming系統,適合半導體分析切割,失效分析,半導體修調trimming,結構層移除,標記等諸多應用。
激光切割分析探針臺配備的激光切割系統還可以激光燒蝕接觸導線來改變集成電路上的導體,犧牲層等而不損壞器件內部結構。這種激光修調trimming過程可以選擇性移除涂層，為半導體失效分析和研究器件的電阻,電容,RF特性等精調特性。這種激光切割系統還可以隔離失效器件,切除金屬引線等。我們還可以根據用戶要求提供晶圓失效器件自動識別功能,激光燒蝕功能去除失效器件。
激光切割分析探針臺根據用戶應用要求可提供電控半自動系統和全自動系統配置.
激光切割分析探針臺特點
集成了激光切割功能,可選擇性切除材料,涂層,精密切割和金屬層標記
激光trimming修調時刻同事用于DC或RF探針應用
可以配備全自動功能,遠程控制定位樣品臺
標配電動樣品臺100mm x 100mm
多軸操縱桿控制方便操作
激光切割分析探針臺可選項目
可根據用戶要求配備各種顯微鏡，偏光顯微鏡
激光波長可選2-3種
精密XY樣品臺
青銅拋光或鍍金可調的真空夾盤，可配備耐受-100℃~200℃的夾盤
激光切割分析探針臺規格參數
適合晶圓大小：100mm （更大尺寸可訂制）
電動XY位移臺： 行程范圍100mm x 100mm， 重復精度1.5um
臺板行程：12.7mm 或更大，
臺板調整：帶有粗調和微調功能
臺板平面度：<+/-12.7um @150mm長度
臺板剛度： <50um @4.5kg
樣品夾盤規格
真空：多區真空
類型：DC或RF
平面度：+/-13um
擊穿電壓：500V
隔離度：1G歐姆
旋轉調整：360度粗調
旋轉分辨率：0.01度
顯微鏡部分
高質量seiwa光學顯微鏡
行程：100mm x 100mm
定位分辨率：1.5um
物鏡數：最多4個
目鏡筒數：最多3個
焦距：+/-25mm
照明系統：亮場入射照明
激光器部分
激光器類型：脈沖Nd:YAG激光
激光波長：1064nm, 532nm, 355nm可選
脈寬：3~4ns
脈沖能量： 0.5mJ/0.15mJ @1064nm, 0.5mJ/0.15mJ @532nm, 0.4mJ/0.15mJ @355nm
切割尺寸（單脈沖）
100X物鏡（最小） 1064nm: 2um x 2um 532nm: 1um x 1um, 355nm: 1um x 1um
50X物鏡（） 1064nm: 50um x 50um 532nm: 40um x 40um, 355nm: 30um x 30um
重復頻率：單次，1Hz連續工作， 5Hz釋放50個脈沖后需要冷卻20秒
系統重量：約為250kg
尺寸：60cm x 74cm x 92cm
