如何規(guī)避可控硅模塊的缺陷

上篇文給大家講了可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在我們來講講可控硅模塊的缺陷之處，如過載和抗力差。在控制大型感性負(fù)載時，會對電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾等，那么，我們該如何規(guī)避這些缺點(diǎn)呢?

1. 對于靈敏度

它是一個三端元件，但我們不再稱它為兩極陽極和陰極，而是T1和T2。G是控制極。施加在控制電極上的電壓，無論是正觸發(fā)脈沖還是負(fù)觸發(fā)脈沖，都可以打開控制電極；

2. 對于過流保護(hù)

可控硅調(diào)壓模塊有許多優(yōu)點(diǎn)，但過載能力差。短期過電流和過電壓會損壞部件，所以，為了保證元件的正常工作，需要具備以下條件：

①在施加的電壓下，允許超過正向轉(zhuǎn)向電壓，否則控制極不工作；

②通常從安全角度取平均通態(tài)電流；

③為保證控制極可靠觸發(fā)，加在控制極上的觸發(fā)電流一般大于其額定值。此外，必須采取保護(hù)措施。過流保護(hù)措施一般為：電路中串聯(lián)一個快速熔斷器，其額定電流約為平均電流的倍。連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，額定電流在交流側(cè)。前者通常用于保護(hù)電路的交流側(cè)免受大電壓沖擊。由于過電壓峰值高、動作時間短，通常采用阻容吸收電路來控制過電壓。

以上就是今天小編整理的可控硅模塊的缺陷之處以及如何規(guī)避這些缺陷之處，希望能對大家有所幫助。