可控硅模塊的檢測(cè)-合泉Twidec

可控硅模塊(又叫晶閘管模塊，功率模塊，MTC,MTK,MFC)現(xiàn)在應(yīng)用廣泛，質(zhì)量也比較成熟，一般是用在調(diào)功，調(diào)壓，通斷上，也有集成的，組合的，用途廣泛,如：軟啟動(dòng)上，電力調(diào)整器上等。

1、檢測(cè)小功率晶體二極管模塊

A、判別正、負(fù)電極

(a)、觀察外殼上的的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。

(b)、觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上，通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。

(c)、以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。

B、檢測(cè)蕞高工作頻率fM。晶體二極管工作頻率，除了可從有關(guān)特性表中查閱出外，實(shí)用中常常用眼睛觀察二極管內(nèi)部的觸絲來(lái)加以區(qū)分，如點(diǎn)接觸型二極管屬于高頻管，面接觸型二極管多為低頻管。另外，也可以用萬(wàn)用表R×1k擋進(jìn)行測(cè)試，一般正向電阻小于1k的多為高頻管。

C、檢測(cè)蕞高反向擊穿電壓VRM。對(duì)于交流電來(lái)說(shuō)，因?yàn)椴粩嘧兓虼宿└叻聪蚬ぷ麟妷阂簿褪嵌O管承受的交流峰值電壓。需要指出的是，蕞高反向工作電壓并不是二極管的擊穿電壓。一般情況下，二極管的擊穿電壓要比蕞高反向工作電壓高得多(約高一倍)。

2、檢測(cè)玻封硅高速開(kāi)關(guān)二極管

檢測(cè)硅高速開(kāi)關(guān)二極管的方法與檢測(cè)普通二極管的方法相同。不同的是，這種管子的正向電阻較大。用R×1k電阻擋測(cè)量，一般正向電阻值為5k～10k，反向電阻值為無(wú)窮大。

3、檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管

用萬(wàn)用表檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的方法基本與檢測(cè)塑封硅整流二極管的方法相同。即先用R×1k擋檢測(cè)一下其單向?qū)щ娦裕话阏螂娮铻?.5k左右，反向電阻為無(wú)窮大;再用R×1擋復(fù)測(cè)一次，一般正向電阻為幾歐，反向電阻仍為無(wú)窮大。

4、檢測(cè)雙向觸發(fā)二極管

A、將萬(wàn)用表置于R×1k擋，測(cè)雙向觸發(fā)二極管的正、反向電阻值都應(yīng)為無(wú)窮大。若交換表筆進(jìn)行測(cè)量，萬(wàn)用表指針向右擺動(dòng)，說(shuō)明被測(cè)管有漏電性故障。

將萬(wàn)用表置于相應(yīng)的直流電壓擋。測(cè)試電壓由兆歐表提供。測(cè)試時(shí)，搖動(dòng)兆歐表，萬(wàn)用表所指示的電壓值即為被測(cè)管子的VBO值。然后調(diào)換被測(cè)管子的兩個(gè)引腳，用同樣的方法測(cè)出VBR值。最后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的值之差越小，說(shuō)明被測(cè)雙向觸發(fā)二極管的對(duì)稱(chēng)性越好。

5、瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)的檢測(cè)

A、用萬(wàn)用表R×1k擋測(cè)量管子的好壞

對(duì)于單極型的TVS，按照測(cè)量普通二極管的方法，可測(cè)出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無(wú)窮大。

對(duì)于雙向極型的TVS，任意調(diào)換紅、黑表筆測(cè)量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大，否則，說(shuō)明管子性能不良或已經(jīng)損壞。

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