產(chǎn)品信息
特點
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可在紫外和可見（250至800nm）波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)
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可分析納米級多層薄膜的厚度
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可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
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通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜
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通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性
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通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
測量項目
用途
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半導體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學常數(shù)（波長色散）
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復合半導體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅
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FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等
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各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜
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光學薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
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光刻領(lǐng)域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
產(chǎn)品規(guī)格
| 型號 | FE-5000S | FE-5000 |
| 測量樣品 | 反射測量樣品 |
| 樣品尺寸 | 100x100毫米 | 200x200毫米 |
| 測量方法 | 旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1 |
| 測量膜厚范圍（ND） | 0.1納米- |
| 入射（反射）的角度范圍 | 45至90° | 45至90° |
| 入射（反射）的角度驅(qū)動方式 | 自動標志桿驅(qū)動方法 |
| 入射點直徑*2 | 關(guān)于φ2.0 | 關(guān)于φ1.2sup*3 |
| tanψ測量精度 | ±0.01以下 |
| cosΔ測量精度 | ±0.01以下 |
| 薄膜厚度的可重復性 | 0.01％以下*4 |
| 測定波長范圍*5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
| 光譜檢測器 | 多色儀（PDA，CCD） |
| 測量用光源 | 高穩(wěn)定性氙燈*6 |
| 平臺驅(qū)動方式 | 手動 | 手動/自動 |
| 裝載機兼容 | 不可 | 可 |
| 尺寸，重量 | 650（W）×400（D）×560（H）mm
約50公斤 | 1300（W）×900（D）×1750（H）mm
約350公斤*7 |
| 軟件 |
| 分析 | *小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等）
理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時分析） |
*1可以驅(qū)動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。
測量示例
以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導電性和色調(diào)。此時，氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。
考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]
當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層"，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。
使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]
為了通過擬合*小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出**的d。在這種情況下，測量不同d的多個樣本，假設(shè)nk是相同的，并進行同時分析（多點相同分析），則可以高精度、**地求出nk和d。
