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    市場規模逾千億美元 國產存儲芯片成長空間大

    儀表深度 2021年07月16日 15:21:45來源:儀表網 57859
    摘要近年來,存儲芯片行業迎來爆發,WSTS發布半導體市場預測,預計2020年半導體市場將達到4331億美元。

      【儀表網 儀表深度】導讀:近年來,存儲芯片行業迎來爆發,WSTS發布半導體市場預測,預計2020年半導體市場將達到4331億美元。其中除了光電和分立器件,增長大的是存儲芯片2020全年市場規模預計達到1194億美元
     
      隨著大數據、云計算、物聯網、人工智能等產業的發展,存儲芯片是半導體元器件中不可或缺的組成部分,幾乎存在于所有的電子設備中,其在整個產業鏈中扮演的角色越來越重要,存儲芯片作為半導體產業的重要分支,約占半導體市場的四分之一至三分之一,市場規模逾超千億。
     
      市場規模逾超千億
     
      在全球大力發展高新技術和“中國制造2025”深入推進的背景下,人工智能、物聯網、云計算等新興行業發展態勢向好,各類電子化和智能化設備都離不開存儲芯片應用。
     
      存儲芯片,是嵌入式系統芯片的概念在存儲行業的具體應用。因此,無論是系統芯片還是存儲芯片,都是通過在單一芯片中嵌入軟件,實現多功能和高性能,以及對多種協議、多種硬件和不同應用的支持。
     
      近年來,存儲芯片行業迎來爆發,WSTS發布半導體市場預測,預計2020年半導體市場將達到4331億美元。其中除了光電和分立器件,增長較大的是存儲芯片2020全年市場規模預計達到1194億美元
     
      因此,近年來,我國一直在發力支持半導體產業的發展,在國家大力支持半導體產業發展的大背景下,中國半導體存儲器基地于2016年開工建設。半導體行業迅速發展推動中國存儲芯片應用場景不斷拓寬。
     
      我國存儲芯片發展歷程
     
      中國存儲芯片發展較晚,2016年以前行業幾乎沒有生產能力,存儲芯片極度依賴于進口。面對國外企業在存儲芯片行業所擁有的壟斷優勢,近年來中國開始在存儲芯片行業投入巨資,
     
      2016年3月武漢新芯宣布,將投資240億美元在武漢打造一個世界級的存儲芯片企業,集中精力研究生產NAND FLASH和DRAM;
     
      此外,長江存儲和合肥長鑫于2016年成立,分別致力于生產NAND Fash、DRAM芯片;2019年底,長江存儲64層3D NAND閃存開始大規模量產;兆易創新突破國外廠商在中低端容量的NOR Flash技術壁壘,推出各類NOR Fash產品
     
      2020年4月,長江存儲推出128層QLC 3DNAND閃存年;9月長江存儲推出全新致鈦系列消費級固態硬盤;同年,長鑫存儲技術有限公司從藍鉑世獲得大量 DRAM技術專利的實施許可;
     
      2021年6月兆易創新宣布首款自有品牌4Gb DDR4產品GDQ2BFAA系列現已量產,實現了從設計、流片,到封測、驗證的全國產化,經過數年的發展,它們開始逐漸取得一些成績。
     
      但是,存儲芯片的市場主要由國外領導,我國存儲芯片在原料與主控方面長期受國外限制,關鍵核心技術受制于人,無異于被人‘卡住脖子、扼住咽喉’,打造‘中國芯’已經非常迫切,國產存儲芯片亟需替代進口,成長空間大。
     
      國產存儲芯片成長空間大
     
      集成電路是國家發展的重心,而存儲芯片是重心中的重心。信息化已經上升為國家戰略的一部分,而存儲芯片在推動國家信息化安全上承擔著關鍵的作用,換句話說,存儲芯片的發展關乎著國家信息產業的健康發展。
     
      芯片國產化的緊迫性,加快我國存儲芯片和整個半導體行業的國產替代速度,擺脫對發達國家的重度依賴刻不容緩。2014年6月,國務院頒布了《國家集成電路產業發展推進綱要》,提出設立國家集成電路產業基金,將半導體產業新技術研發提升至國家戰略高度;2020年,國務院又發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知》,為半導體的發展提供政策支持。
     
      雖說,我國存儲芯片產業技術積累還比較薄弱,人才儲備、產能規模、企業體量等也與國際巨頭有著較大差距。近年來國內廠商奮力追趕,已在部分領域實現突破,逐步縮小與國外原廠的差距中國存儲芯片廠商發展力強,成長空間大在千億美元市場下,發展前景可期。
     

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