“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”取得突破

　　【儀表網(wǎng) 儀表上游】光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)是新材料領(lǐng)域重要的發(fā)展方向之一，是未來高速大容量光纖通信、全光網(wǎng)絡(luò)、下一代互聯(lián)網(wǎng)、寬帶光纖接入網(wǎng)所廣泛依賴的技術(shù)。“十二五”期間，863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域支持了“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”主題項目。近日，在北京組織專家對該主題項目進(jìn)行了驗收。
 

 

　　“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)” 項目針對光子集成中的關(guān)鍵問題，發(fā)展了新的器件結(jié)構(gòu)和集成方法，在單一芯片上研究了多波長解復(fù)用陣列波導(dǎo)光柵(AWG)與波導(dǎo)探測器陣列的耦合集成方法及工藝，有效解決了結(jié)構(gòu)和工藝兼容問題，實現(xiàn)了多波長并行高速波導(dǎo)探測器芯片集成；開展了硅基二氧化硅AWG、硅基PIN型可調(diào)光衰減器(VOA)器件制備工藝和集成芯片關(guān)鍵技術(shù)研究，制備出硅基AWG與VOA集成芯片。通過項目的產(chǎn)業(yè)化實用技術(shù)研究，形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產(chǎn)能力。
 

　　“十三五”期間，為進(jìn)一步推動我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，瞄準(zhǔn)國家重大需求、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》，在新材料技術(shù)發(fā)展方面，重點發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料、先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料，滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向中對光電子與微電子材料進(jìn)行了系統(tǒng)布局， 重點研究低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料、半導(dǎo)體傳感材料與器件、新型高密度存儲與自旋耦合材料、高性能合金導(dǎo)電材料、微納電子制造用新一代支撐材料、高性能電磁介質(zhì)材料和無源電子元件關(guān)鍵材料、聲表面波材料與器件技術(shù)等。
 

　　(原標(biāo)題：“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”取得突破)