氮摻雜石墨烯生長的原子尺度機理研究取得新進展

 

 

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　　該研究成果以A Kinetic Pathway toward High-Density Ordered N Doping of Epitaxial Graphene on Cu(111) Using C5NCl5 Precursors 為題5月12日在線發表在《美國化學會志》[J. Am. Chem. Soc. 2017. DOI: 10.1021/jacs.6b12506]。
 

　　據了解，石墨烯在其費米面附近形成狄拉克錐，電子能量與波矢呈線性關系，載流子遷移率高達~200000 cm2V-1s-1。這些性質使得石墨烯在許多領域有著非常廣泛的應用前景。然而，本征石墨烯雖然具有高的載流子遷移率，但作為半金屬，載流子濃度很低，大大限制了其在半導體器件中的應用。
 

　　近年來，人們試圖通過各種手段來調控石墨烯的載流子濃度，其中化學摻雜和修飾是重要的調控方法。通過化學摻雜，例如氮元素的摻雜，可以有效地調節石墨烯費米面的位置，從而增加載流子濃度。但是，目前氮摻雜石墨烯的制備還存在很多問題，例如氮的摻雜濃度偏低、摻雜位置無序等，后者也使載流子在輸運過程中遭遇更強的散射，導致載流子遷移率大大降低。因此，如何可控地生長制備高濃度、高有序的氮摻雜石墨烯是一個極富挑戰性的難題。
 

　　針對這一難題，崔萍與合作者通過性原理計算預言，利用C5NCl5分子在Cu(111)表面上自組裝可獲得高氮摻雜濃度(1/6)、氮原子排列更有序的石墨烯，并揭示了在生長過程中基于三種原子/分子間力的協同作用的原子尺度機理(如圖所示)。
 

　　首先，作為芳香性分子，C5NCl5與Cu襯底之間較強的范德瓦爾斯作用力可大大升高分子在Cu襯底上的吸附能，使得在相對低的過飽和氣壓下即可實現低溫生長。
 

　　其次，由于C-Cl鍵較弱，吸附的C5NCl5脫氯比通常利用碳氫化合物前驅體生長石墨烯過程中的脫氫反應更容易，可實現快速、連續脫氯，進而在Cu襯底上形成大量的C5N自由基。
 

　　第三，C5N自由基在Cu上的轉動和擴散能壘都相對較低，同時這些自由基帶有相同的電荷，彼此之間存在長程庫侖排斥力，這種排斥力可影響C5N在Cu襯底上自組裝時的整體取向，形成相對更有序的結構。
 

　　另一方面，C5N通過所帶的氮原子的“釘扎”作用可有效限制其在Cu(111)上的取向，也有利于抑制生長過程中晶界的形成。基于這種生長方法，有望制備出高度有序的氮摻雜石墨烯合金單晶，從而獲得具有高載流子濃度、高遷移率等特點的二維金屬。
 

　　此外，崔萍近期在二維材料體系的生長機理、形貌控制與物性優化研究中做出了一系列原創性工作。其中，作為主要(或通訊)作者繼去年在石墨烯納米條帶自旋電子學[Phys. Rev. Lett. 116, 026802 (2016)]和石墨烯受限催化[Nano Lett. 16, 6058 (2016)]的兩項研究之后，今年在過渡金屬二硫族化合物的邊緣重構機理[Nano Lett. 17, 1097 (2017)]與可控生長[Nature Commun. 8, 15135 (2017)]以及單層藍磷的生長機理[Phys. Rev. Lett. 118, 046101 (2017)]等方面又取得了一系列新進展，部分理論預言已被實驗所驗證。這些工作有望在二維材料的研究中產生深遠影響。
 

　　(原標題：中國科大在氮摻雜石墨烯生長的原子尺度機理研究方面獲新進展)