“虛假回波學習”功能使得儀表在多個虛假回波的工況下，可正確地確認真實回波，獲得準確的測量結果。
多種過程連接方式及天線型式，使得GDRD5X系列雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如：高溫、高壓及小介電常數介質的測量等。
采用脈沖工作方式，雷達物位計發射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容內，對人體及環境均無傷害。
1 美國斯盧森GDRD53脈沖型雷達物位計丨料位計 測量原理 美國斯盧森GDRD53脈沖型雷達物位計丨料位計原理 雷達物位計天線發射極窄的微波脈沖，這個脈沖以光速在空間傳播，碰到被測介質表面，其部分能量被反射回來，被同一天線接收。發射脈沖與接收脈沖的時間間隔與天線到被測介質表面的距離成正比。由于電磁波的傳播速度*，發射脈沖與接受脈沖的時間間隔很小（納秒量級）很難確認。GDRD5X系列雷達物位計采用一種特殊的相關解調技術，可以準確識別發射脈沖與接收脈沖的時間間隔，從而進一步計算出天線到被測介質表面的距離。 美國斯盧森GDRD53 特點 由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術，雷達物位計可以應用于各種復雜工況。 “虛假回波學習”功能使得儀表在多個虛假回波的工況下，可正確地確認真實回波，獲得準確的測量結果。 多種過程連接方式及天線型式，使得GDRD5X系列雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如：高溫、高壓及小介電常數介質的測量等。 采用脈沖工作方式，雷達物位計發射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容內，對人體及環境均無傷害。
美國斯盧森GDRD53簡單介紹：
| 型 號： | GDRD53 | |
| 應 用： | 存儲容器或過程容器，過程條件復雜。 | |
| zui大量程： | 30m | |
| 測量精度： | ±10mm | |
| 過程連接： | 法蘭316L | |
| 天線材料： | 不銹鋼316L /PTFE | |
| 過程溫度： | -40…200°C | |
| 過程壓力： | -1.0…40bar | |
| 頻率范圍： | 6GHz | |
| 信號輸出： | 兩線制/四線制4…20mA/HART | |
| 美國斯盧森GDRD53選型 | ||
| 美國斯盧森GDRD53GDRD53 | ||
| 許可證 | P 標準型（非防爆） | |
| I 本安型（Exia IIC T6）（只可選用鋁外殼） | ||
| C 本安型+船用許可證（Exia IIC T6）（只可選用不銹鋼外殼） | ||
| G 本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）（選用外殼見下“注”） | ||
| 天線型式/材料 | C 喇叭天線50/不銹鋼316L（導波管安裝）* | |
| D 喇叭天線80/不銹鋼316L（導波管安裝）* | ||
| E 喇叭天線100/不銹鋼316L | ||
| F 喇叭天線150/不銹鋼316L | ||
| G 喇叭天線200/不銹鋼316L | ||
| 天線延長管 | A 無 | |
| B 200mm | ||
| C 500mm | ||
| D 1000mm | ||
| E 2000mm | ||
| X 特殊定制 | ||
| 過程連接 | FA 法蘭 DN50 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000） | |
| FB 法蘭 DN80 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000） | ||
| FC 法蘭 DN100 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000） | ||
| FD 法蘭 DN150 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000） | ||
| FE 法蘭 DN200 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000） | ||
| YP 特殊制定 | ||
| 密封/過程溫度 | 2 Viton/-40～+130℃ | |
| 3 Kalrez/-20～+130℃ | ||
| 4 Viton/-40～+200℃帶散熱片 （過程溫度大于100℃時選用） | ||
| 5 Kalrez/-20～+200℃帶散熱片（過程溫度大于100℃時選用） | ||
| 電子組件 | B （4～20）mA/HART兩線制 C （4～20）mA/（22.8～26.4）V DC/HART兩線/四線制 D （198～242）V AC/HART四線制 | |
| 外殼/防護等級 | A 鋁/IP67 | |
| B 塑料/IP66 | ||
| D 鋁兩腔/IP67 | ||
| G 不銹鋼316L/IP67 | ||
| 電纜進線 | M M20x1.5 | |
| N ½NPT | ||
| 現場顯示/編程 | A 帶 | |
| X 不帶 | ||
| 吹掃 | A 帶 | |
| X 不帶 | ||
| 注: 本安+船用許可證（Exia IIC T6）只限用“A”或“B”電子組件及“G”型外殼；本安+隔爆型 （Exd [ia]ia IIC T6）只限用“D”型外殼。
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