特性
JSM-IT800 整合了我們用于從高分辨率成像到快速元素分析的“浸沒式肖特基 Plus 場發射電子槍”、創新的電子光學控制系統“Neo Engine”以及無縫 GUI 系統“SEM Center”，該系統采用一體化 JEOL X 射線能量色散譜儀 (EDS) 作為通用平臺，進行快速元素分析。
JSM-IT800 允許物鏡作為一個更換模塊，提供不同的版本以滿足各種用戶需求。JSM-IT800 有五種版本，提供不同的物鏡：混合型物鏡 (HL)，這是一種通用 FE-SEM；超級混合物鏡（SHL/SHLs，具有不同功能的兩種版本），可實現更高分辨率的觀察和分析；以及新開發的半浸沒式物鏡（i/is，具有不同功能的版本），適用于納米材料、化學、新材料、半導體器件的觀察和分析。
此外，JSM-IT800 還可以配備新型閃爍體背散射電子探測器 (SBED) 和多功能背散射電子探測器 (VBED)。SBED 支持以高響應性獲取圖像，即使在低加速電壓下也能產生清晰的成分襯度，而 VBED 可以幫助獲取 3D、形貌和成分襯度的圖像。因此，JSM-IT800 可以幫助用戶獲取豐富多樣德 信息并解決測量中的問題。
■ 視頻介紹
◆點擊下面按鈕，開始播放◆
1. 浸沒式肖特基Plus場發射電子槍
集成的浸沒式肖特基Plus電子槍和低像差聚光透鏡可實現高亮度。即使低加速電壓下也能獲得充足的探針電流(100nA@5kv), 這可幫助用戶在對SEM參數進行微小調整的情況下，進行高分辨觀察、高速元素面分析、EBSD分析、軟X射線分析。
2. Neo Engine（New Electron Optical Engine）
配備本公司電子光學技術精華的新一代電子光學控制系統，可在調整各種參數的同時進行穩定的觀察。此外，該系統還具有增強的自動功能，更易于使用。
AFS ACB
樣品：碳基納米錫粒子
入射電壓：15kV，WD：2mm，觀察模式：BD，檢測器：UED， 倍率：x200,000
3. SEM Center / EDS一體化
操作導航“SEM Center”與本公司生產的EDS進行了全面集成，更易于操作。此外，還配備了Smile Navi（可選），可以幫助新手了解如何操作SEM，LIVE - AI (Live Image Visual Enhancer-AI)(可選)，可輕松查看實時圖像；及SMILE VIEWTM Lab，用于快速生成報告。
4. LIVE-AI Filter
利用AI功能，整合LIVE-AI Filter以實現更高質量的實時圖像。與圖像集成處理不同，這樣可以顯示無殘留圖像的無縫移動實時圖像。這一功能對于快速搜索觀察區域、聚焦和像散調整非常有效。
實時圖像比較
樣品：螞蟻外骨骼，入射電壓：0.5kV，SED檢測器
樣品： 鐵銹， 入射電壓：1kV，SED檢測器
5. HL/HLs（Hybrid Lens）、 SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is （Semi-in-Lens）
JSM-IT800 系列了提供多種物鏡可供選擇，以滿足用戶的多種需求。
HL 版本和 SHL 版本（包括 SHLs 版本）配備了電磁/靜電場疊加物鏡?？梢詫慕饘俚郊{米材料的各種樣本進行高分辨率觀察和分析，特別適用于磁性材料的觀察和分析，例如 EBSD 分析。
i 版本和 is 版本都配備了半浸沒式物鏡，非常適合對傾斜和橫截面樣本進行高分辨率觀察和分析，這是半導體器件故障分析的要素。此外，它還適用于使用高位透鏡內電子探測器 (UID) 進行觀察。
6. 高位檢測器UHD （Upper Hybrid Detector）
SHL物鏡里標配高位檢測器，可高效檢測樣本中的電子，從而獲得高S/N的圖像。
SHL 觀察舉例
1. 氧化鋁顆粒 二次電子像
入射電壓0.5kV， 檢測器：UHD
可以觀察顆粒表面的階梯結構，能清楚地看到納米尺度的階梯。
2. 鋁勃姆石和纖維素納米纖維CNF
樣本：IC芯片橫截面（表面蝕刻，鋨鍍層）
入射電壓：5.0kV（無BD模式），SHL觀察模式，探測器：UHD、UED（BSE模式）
HL 觀察舉例
i/is version 觀察舉例
1. 光催化顆粒 二次電子像
JSM-IT800（i） UED檢測器 樣品提供：東京大學 特聘教授 堂免 一成
這種光催化劑使水分解反應的量子效率接近 99%。高分辨率 SE 圖像清楚地顯示：尺寸小于 10 nm 的助催化劑顆粒優先沉積在立方顆粒的 {100} 晶面上，以促進析氫和析氧反應。
參考文獻：T. Takata et. al., "Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity," Nature , 581, 411-414, 2020.
2. 半導體器件（SRAM）內部組成像、電位襯度像、凹凸像
觀察條件：入射電壓1kV，WD8mm，觀察模式SIL，檢測器UED、UID、SED，3種信號同時獲取
7. 新型背散射電子檢測器
閃爍體背散射電子檢測器（SBED、選配件）響應性能，適用于低加速電壓下材料襯度像的采集。多用途背散射電子檢測器（VBED、選配件）適用于3D、凹凸等特色圖像的采集。
SBED觀察例
VBED觀察例
VBED中不同方位的半導體元件接受不同角度的背散射電子。位于內側的元件接受的電子主要反映樣品的成分信息，外側的主要反映其表面凹凸信息，且使用內側半導體元件還能觀察處于AI鍍層深處的熒光物質
| HLversion | is version | i version | SHLs version | SHL version | |
| 分辨率（1 kV） | 1.3nm | 1.0nm | 0.7nm | 1.1nm | 0.7nm |
| 分辨率（15 kV） | - | 0.6nm | 0.5nm | 0.6nm | 0.5nm |
| 分辨率（20 kV） | 0.7nm | - | - | - | - |
| 分辨率（分析） | 3.0nm （5kV,5nA,WD 10mm） | 3.0nm （5kV,5nA,WD 8mm） | 3.0nm （5kV,5nA,WD 8mm） | 3.0nm （5kV,5nA,WD 10mm） | 3.0nm （5kV,5nA,WD 10mm） |
| 加速電壓 | 0.01 - 30 kV | ||||
| 檢測器 | SED、UED | SED、UID | SED、UID、UED | SED、UHD | SED、UHD |
| 電子槍 | 浸沒式schott-plus場發射電子槍 | ||||
| 入射電流 | 300nA | 300nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| 物鏡 | HL | semi-in-lens | semi-in-lens | SHL | SHL |
| 樣品臺 | 全對中馬達驅動樣品臺 | ||||
| EDS | 能量分辨率133eV以下，檢測元素B-U， 60mm2大面積檢測器 | ||||
| 分析功能option | EDS,WDS,EBSD,CL | EDS,WDS,CL | EDS,WDS,CL | EDS,WDS,EBSD,CL | |
主要的選配件
高位電子檢測器（UED）背散射電子檢測器（BED）
閃爍體背散射電子檢測器（SBED）
多用途背散射電子檢測器（VBED）
透射電子檢測器（TED）
低真空 （含低真空背散射電子檢測器LVBED）
低真空二次電子檢測器（LVSED）
電子背散射衍射（EBSD）
波譜儀（WDS）
軟X射線分光器（SXES）
探針電流檢測器
樣品臺導航系統
樣品室相機
操作桌
操作面板
LIVE-AI過濾器ー
SMILE VIEW? Map
