一、產品概述
半導體清洗機臺是晶圓制造工藝中用于去除表面污染物的核心設備，通過化學濕法、物理作用或二者結合的方式，清除硅片表面的顆粒、金屬殘留、有機物及氧化層。其廣泛應用于前道制程（如光刻膠剝離、柵極氧化前清洗）和后道工藝（如CMP后殘留處理），直接影響芯片良率與電性能。現代清洗機臺支持6-12英寸晶圓，兼容單片濕法、兆聲波、噴淋等多種技術，具備自動化控制、高效潔凈度及環保設計特點。
二、核心功能與技術優勢
多工藝清洗能力
標準RCA流程：嚴格遵循SC-1（堿性過氧化氫去膠）、SC-2（酸性氟化物去金屬）等配方，可定制化調整化學品濃度、溫度及處理時間。
兆聲波增強：高頻超聲波（20-100kHz）產生空化效應，剝離>99%的超細顆粒（≥25nm），避免機械損傷。
CMP后清洗：專用于化學機械拋光后殘留氧化物的清除，保障表面平整度。
高精度污染控制
顆粒清除：通過噴淋+兆聲波組合，顆粒殘留<0.1顆/cm2（≥25nm）。
金屬污染：SC-2步驟將金屬密度降至<1×101? atoms/cm2，滿足制程需求。
有機物去膠：高效分解光刻膠及助劑殘留，防止后續層間粘連。
智能化與自動化設計
參數精準調控：PLC系統實時監控流量、溫度、轉速，支持SECS/GEM協議對接MES系統，實現數據追溯。
多腔室模塊化：4-8個獨立腔室可選，支持并行處理不同工藝（如去膠、蝕刻、純水沖洗），提升產線效率。
靜電消除技術：腔體內集成離子風機，減少顆粒吸附風險，保障潔凈環境。
環保與節能特性
藥液回收系統：廢液分類回收率>99%，降低HF、H?O?等高危化學品消耗，符合RoHS標準。
低能耗模式：純水使用量<1L/min，離心干燥能耗較熱風烘干降低30%。
三、應用場景
前道制程：
光刻膠剝離（正膠/負膠清洗）。
柵極氧化前的納米級潔凈度保障。
刻蝕后通孔/溝槽清潔，避免殘渣影響沉積。
后道工藝：
CMP后殘留氧化物去除，提升平坦化效果。
芯片封裝前的背面減薄預處理。
特殊材料兼容：除單晶硅外，可處理多晶硅、氮化硅、金屬薄膜（如Al Pad、Cu布線）等。
