一、產品概述
全自動RCA清洗機是半導體制造工藝中用于晶圓表面清潔的核心設備，專為去除硅片表面的顆粒、金屬污染、有機物及氧化層而設計。其基于RCA（Radio Corporation of America）標準清洗流程，通過化學濕法與物理清洗結合，實現高效、高潔凈度的表面處理，廣泛應用于前道制程（如柵極氧化前清洗、CMP后清洗）和后道工藝（如芯片封裝前的預處理）。設備支持12英寸及以下晶圓的單片清洗，兼容多工藝需求，可有效提升芯片良率并降低缺陷率。
二、核心功能與技術特點
標準化RCA清洗流程
嚴格遵循SC-1（NH?OH + H?O?，去除有機物）、SC-2（HCl + H?O?，去除金屬殘留）等標準步驟，可定制化調整化學品濃度、溫度及清洗時間。
支持預清洗（DIW沖洗）、主清洗（化學噴淋+兆聲波增強）及干燥（離心甩干+熱風/CDA吹掃）全流程自動化控制。
高效污染物去除能力
顆粒清除：通過兆聲波空化效應剝離>99%的超細顆粒（≥25nm），避免微結構損傷。
金屬污染控制：化學配方針對性溶解Al、Cu、Fe等金屬殘留，污染密度降至<1×101? atoms/cm2。
有機物去膠：SC-1步驟高效分解光刻膠、助劑殘留，防止后續工藝粘連。
模塊化設計與智能化控制
多腔室配置：4-8個獨立腔室可選，支持并行處理不同工藝（如去膠、蝕刻、純水沖洗），提升產線效率。
參數精準調控：PLC系統實時監控流量、溫度、轉速，支持SECS/GEM協議對接MES系統，實現數據追溯與遠程運維。
靜電消除技術：腔體內集成離子風機，減少顆粒吸附風險，保障潔凈環境。
環保與節能設計
藥液回收系統：廢液分類回收率>99%，降低HF、H?O?等高危化學品消耗，符合RoHS環保標準。
低能耗模式：純水使用量<1L/min，離心干燥能耗較傳統熱風烘干降低30%。
三、應用場景
前道制程：
成膜前基底清洗（如PVD/CVD前表面預處理）。
CMP（化學機械平坦化）后殘留物去除。
柵極氧化前的納米級潔凈度保障。
后道工藝：
刻蝕后通孔/溝槽清潔，避免殘渣影響封裝良率。
背面減薄前的表面預處理，提升研磨均勻性。
特殊材料兼容：除單晶硅外，可處理多晶硅、氮化硅、金屬薄膜（如Al Pad、Cu布線）等。
四、設備優勢
高潔凈度：顆粒殘留<0.1顆/cm2，金屬污染<5×10? atoms/cm2，滿足制程（如EUV光刻）需求。
低損傷率：兆聲波頻率可調（20-100kHz），避免機械力對脆弱結構（如FinFET、GAAFET）的損傷。
定制化能力：支持酸/堿性配方切換、腔室數量擴展及干燥模式選配（如IPA脫水）。
國產化替代：核心部件自主可控，兼容AMHS物料系統，已通過中芯國際、長江存儲等產線驗證。
全自動RCA清洗機作為半導體制造的“衛士”，以高精度、高穩定性和環保設計，為芯片良率與制程進步提供關鍵保障，是封裝與邏輯芯片產線的核心設備。
