半導體靜態參數測試儀特點
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；
模塊化設計：內部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據測試需求可定制夾具；
系統參數
項目 | 參數 | |
集電極-發射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) |
最大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | |
準確度 | ±0.1% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15μs | |
大電流脈寬 | 50μs~500μs | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發射極 | 蕞大電壓 | 300V |
蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
準確度 | ±0.05% | |
最小電壓分辨率 | 30μV | |
最小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | ±0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ |
準確度 | ±2℃ | |
測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試。
半導體靜態參數測試儀認準武漢生產廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于廣泛應用于半導體測試行業； 本功率器件靜態參數測試系統可以完成多項參數測試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。
