WD4000晶圓制造翹曲度厚度測量設備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數，同時生成Mapping圖；
2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數；
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實現膜厚測量功能；
4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。
測量功能
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數；結構分析包括孔洞體積和波谷。
應用領域
WD4000晶圓制造翹曲度厚度測量設備可實現砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質晶圓的量測。可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業。可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。
應用案例
部分技術規格
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號 | WD4000系列 |
| 測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
| 可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等 |
| 厚度和翹曲度測量系統 | |
| 可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
| 測量范圍 | 150μm~2000μm |
| 掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點 |
| 測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
| 三維顯微形貌測量系統 | |
| 測量原理 | 白光干涉 |
| 干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個) |
| 可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
| 粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
| 測量參數 | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數 |
| 膜厚測量系統 | |
| 測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
| 景深 | 1200um |
| 最小可測厚度 | 0.4um |
| 紅外干涉測量系統 | |
| 光源 | SLED |
| 測量范圍 | 37-1850um |
| 晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
| 晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
| X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意：因市場發展和產品開發的需要，本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。
