希華晶振,貼片晶振,CTSX-3225晶振,希華晶振晶體科技有限公司成立于1988年,希華正式成立, 資本額為1,500萬元整,開始以普通石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售.從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過團(tuán)隊(duì)組合及之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供的服務(wù).石英晶體,3225貼片晶振,CTSX-3225晶振
在十年的時(shí)間里希華晶體科技刻苦專研,開發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領(lǐng)域,并且成功在1998年回到祖國的懷抱,到了沒了的中國廣東省東莞市投資建廠, 主要生產(chǎn)SMD晶振系列,剛開始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開始量產(chǎn)常規(guī)石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸為主.
希華晶振規(guī)格 | 單位 | CTSX-3225晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 13MHZ~26MHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -40°C ~ +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_— l | ±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), | +25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 10pF ,12PF,16PF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,年 |
在使用希華晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.石英晶體,3225貼片晶振,CTSX-3225晶振
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
希華晶振環(huán)境保護(hù)承諾 石英晶體,3225貼片晶振,CTSX-3225晶振
依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、產(chǎn)品及服務(wù)。
希華晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施。并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力。
希華晶振科技股份有限公司環(huán)境影響的最小化:遵照社會的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾。
環(huán)境管理體系:希華晶振公司在每一個運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具。我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障。每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo)。
環(huán)境行為評價(jià):評價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績。我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)結(jié)合的培訓(xùn)