泰藝晶振,貼片晶振,OV晶振,具有于移動通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.（可對應回流焊） 無鉛產品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。
| 項目 | 符號 | 規格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 0.0137-160MHZ | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
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| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
| 待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
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| 輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
DIP 產品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力,以免引腳變形。
SOJ 產品和SOP 產品
請勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形。已變形的石英晶振引腳焊接時會造成浮起。尤其是SOP產品需要更加小心處理。金屬面晶振,四腳貼片晶振,OV晶振
1.超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式晶振產品。金屬面晶振,四腳貼片晶振,OV晶振
（4）對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
泰藝晶振,貼片晶振,OV晶振
泰藝石英晶振公司自公司成立以來,秉持對環境保護承諾之宣言：『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從以下政策：
1. 5032壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產品對環境產生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程；對污染之防治應從根源解決問題,以《不產生、不使用》為指導原則.
2.若無法避免需產生或使用時,應管制單位產生量及使用量,做持續性5032振蕩器之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性（能）資源使用,應從系統研究改善使用效率,以達成節約能源之目標.
3.公司所有活動皆遵循低電流有源晶振環保法規及承諾,作好綠色設計與生產以及污染預防,減少使用危害環境的原物料,積極節約材料資源,降低對整體環境沖擊的影響,實施相關預防矯正、持續改善作業,落實與維護環境保護,響應環保運動.金屬面晶振,四腳貼片晶振,OV晶振
4.藉由環境稽核確認環境改善績效,使公司所有活動過程均能達成環境目標及標的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.泰藝晶振,貼片晶振,OV晶振
