T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,歐美進口晶振,TCXO晶振,頻率38MHz,工作溫度-55~95°C,電壓3.3V,CMOS輸出晶振,抗沖擊晶振,耐輻射晶振,高軌道應答器晶振,低軌道衛星(納米/微型衛星)晶振,射頻遙測系統晶振,多波段終端晶振,升頻器晶振.
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振 特點:
•200克拉(Si)總電離劑量
•堅固耐用,密封,耐輻射34.8 mm x 20.2 mm 24-PIN DIP封裝
•頻率:2.5至120MHz
•寬溫度范圍-55°C至+125°C
•SEL和SET自由至100 MeV cm2/mg
•超低加速靈敏度< 0.07 ppb/g
•3.3 VDC和5 VDC供電
•CMOS或正弦波輸出
•MIL-PRF-55310 B級或S級篩選
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振 參數圖
規格參數 數值 條件 頻率 38MHz +25°C 頻率穩定度 ±5ppm -55°C to +95°C 工作溫度 -55°C to +95°C
老化 ± 1ppm max 頻率與電壓 ± 0.1ppm max 電子頻率控制 ± 10ppm 電壓 3.3V(VDD)
輸入電流 35mA CMOS
負載 50?
相位噪聲(靜態)10Hz -90dBc/Hz
相位噪聲(靜態)100Hz -120dBc/Hz
相位噪聲(靜態)1K -140dBc/Hz
相位噪聲(靜態)10KHz -150dBc/Hz
相位噪聲(靜態)100KHz -155dBc/Hz
儲存溫度 -65°C to+130°C
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振尺寸圖