NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SHB晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SHB晶振
項(xiàng)目 | 符號(hào) | 規(guī)格說(shuō)明 | 條件 |
輸出頻率范圍 | f0 | 1.5-80MHZ | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料/ |
H: -40℃ to +105℃ | |||
J: -40℃ to +125℃ | |||
頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無(wú)負(fù)載條件、工作頻率 |
待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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VOL | 0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降時(shí)間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面濾波器波(SAW)/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐摹?
(3)請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式晶振產(chǎn)品.NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SHB晶振
(4)對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。超小型晶振,低消耗晶振,NZ2520SHB晶振
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 。
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加。
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容.超小型晶振,低消耗晶振,NZ2520SHB晶振
日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”,它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的耐高溫有源晶體制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段,包括產(chǎn)品的制造階段,銷(xiāo)售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它,和處置階段,通過(guò)用戶廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振由于制造普通有源晶體振蕩器(PXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等涉及高溫處理,所以需要大量電力的過(guò)程。通過(guò)使產(chǎn)品更加緊湊,可以增加每個(gè)工序引入的零件數(shù)量。2520四腳振蕩器設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量。因此,每個(gè)產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量,然后抑制二氧化碳排放。與這項(xiàng)改革,減少功耗設(shè)備也實(shí)施。為了快速響應(yīng)我們的客戶需求,MHZ低電壓振蕩器我們整合了我們的基本技術(shù),設(shè)計(jì)技術(shù),生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù),成功地減少和減輕產(chǎn)品使用的技術(shù)。超小型晶振,低消耗晶振,NZ2520SHB晶振
NDK晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”。為取得社會(huì)的信任,為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化,集團(tuán)還開(kāi)展了各種各樣的活動(dòng)。
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