Sitime晶振,貼片晶振,SiT1602晶振，隨著摩爾定律的發展,SiTime可編程有源晶振的硅MEMS時序產品具有半導體行業的性能軌跡.由于硅工藝和設計技術的快速發展,硅MEMS計時裝置的性能繼續迅速改善,并超過了基于石英的定時裝置的性能.硅制造技術生產具有亞微米特征和納米精度的設備.MEMS諧振器是在硅晶圓中制造的,它的改進是由更精細的幾何圖形制成的.由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇,性能佳,相位噪音較低.石英晶體振蕩器,貼片型晶體振蕩器,SiT1602晶振
| 項目 | 符號 | SiT1602晶振規格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 3.75~77.76MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.2 V to 3.63 V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
| H: -40℃ to +85℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩定度 | f_tol | J: ±20 × 10-6 |
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| L: ±25 × 10-6 | |||
| T: ±50 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
| 待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
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| 輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象.
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。石英晶體振蕩器,貼片型晶體振蕩器,SiT1602晶振
SiTime晶振環保基本理念：
1.減少石英晶振晶體材料污染,節能降耗——污染預防的承諾；依法治理——遵守現行適用的環境法律、法規和其他要求的承諾；
2.“減少污染,節能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續改進,凈化一片藍天”提供了建立和評審環境目標和指標的框架.
3.SiTime晶振采用系統的方法來解決其產品的環境影響.開發和銷售擁有利的環境特性同時又滿足可能功效標準的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補晶振（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）等產品
4.在石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K有源晶振,時鐘晶體,壓電石英晶體系列產品開發和制造過程中使用對環境健康的、可回收利用的材料
5.為開發高效的、對環境影響最小的運輸系統而工作.無論公司在世界何處,其經營都應保證生產過程和產品符合同等的環境標準
6.確保業務合作伙伴對環境問題同等關注從事并參與環境領域的研究和開發活動
7.SiTime晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.
8.集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的的環境標準。石英晶體振蕩器,貼片型晶體振蕩器,SiT1602晶振
