Raltron晶振,5032晶振,H130A晶振，Raltron晶振通過線上銷售來支持其客戶,并且在亞洲有幾家分支機構,所銷售的石英晶體,貼片晶振,石英晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等由幾家大型分銷商發(fā)行.Raltron晶振公司在其位于邁阿密的工廠生產一些較為精密的石英晶體振蕩器,有源晶振,溫補振蕩器.相對于一些石英晶體諧振器,石英晶體,貼片晶振,時鐘振蕩器以及過濾器,陶瓷諧振器,濾波器等則是在國內幾個工廠生產.通過將這些產品從香港的物流中心運往世界各地,Raltron晶振公司全體員工均以追求的服務以及的品質為工作理念.Raltron晶振,陶瓷面貼片晶振,H130A晶振
| Raltron晶振規(guī)格 | 單位 | H130A晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
| 標準頻率 | f_nom | 8MHZ~150MHZ | 標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +60°C | 標準溫度 |
| 激勵功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l | ±50 × 10-6 | +25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,/ |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
| 負載電容 | CL | 12~32PF | 不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,年 |
石英晶振各項注意事項：
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用SMD晶振產品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致石英晶體諧振器產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）。Raltron晶振,陶瓷面貼片晶振,H130A晶振
Raltron晶振集團環(huán)保方針:
Raltron晶振集團對員工進行環(huán)境保護知識培訓,提高其環(huán)境意識,建立環(huán)境職責,自覺改進、預防對環(huán)境的負面影響.
Raltron晶振在產品的全過程中努力節(jié)能降耗,實現(xiàn)資源消耗最小化.對石英晶振,貼片晶振,5032晶振,壓控振蕩器,普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）產生環(huán)境影響的活動做出及時反應,并對可能產生環(huán)境負面影響的活動做出預防.
Raltron晶振按照IS014001標準的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標和方案設定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.
建立和遵守其嚴格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標準.將不斷地擴展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項目.
在石英晶振,無源晶振產品的整個生命周期內確定、評價和改進重要的環(huán)境、健康和安全因素.Raltron晶振,陶瓷面貼片晶振,H130A晶振
