Fortiming晶振,VC75晶振,VC75A-44M736-BBA1晶振 壓控晶振（VCXO）是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。
Fortiming晶振公司致力于為客戶提供全面的優(yōu)質(zhì)石英晶體,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控晶振,有源晶振,無源晶振,32.768K晶振等頻率控制產(chǎn)品系列,并為我們的網(wǎng)站訪客提供頻率控制市場的信息.我們的目標(biāo)是通過為客戶,員工和供應(yīng)商提供的客戶服務(wù)和堅定不移的長期承諾來穩(wěn)步發(fā)展.
Fortiming晶振公司提供的高質(zhì)量產(chǎn)品,工程支持和有競爭力的價格.我們的石英頻率控制器件系列包括晶體,時鐘晶體振蕩器,TCXO溫補晶體振蕩器,OCXO恒溫晶體振蕩器,VCXO壓控晶振和聲表面濾波器.這些器件采用多種引線和SMD設(shè)計.我們致力于為您提供服務(wù),這是我們知道的方式,可以贏得您的信任并建立持久的關(guān)系.
石英晶體頻率標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展歷程可以追溯到1946年至1996年的50年.本文強調(diào)了推動取得顯著進(jìn)步的潛在技術(shù)變革和創(chuàng)新,同時牢記已有的大量信息的貢獻(xiàn).在這個時期的開始.它概述了從早期真空管日到使用晶體管,LSI和混合結(jié)構(gòu)實施的恒溫晶體頻率標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)展.還介紹了TCXO溫補晶振開發(fā)的進(jìn)展,包括模擬熱敏電阻溫度補償,數(shù)字補償,使用微型計算機的技術(shù)和自感振蕩器.
| Frequency Range | 1 MHz to 77.760 MHz (5V), to 125 MHz (3.3V) |
| Input Voltage (Vcc) | A = +5 VDC ± 5%; B = +3.3 VDC ± 5% |
| Input Current | 30 mA Maximum, depending on frequency and output load |
| Control Voltage (Vc) | +2.5V ± 2.0V for 5.0V part; +1.65V ± 1.5V for 3.3V part |
| Storage Temperature | -55°C to 125°C |
| Frequency Stability / APR (Min) | A = ±50 / ±50 ppm; B = ±25 / ±50 ppm; C = ±50 / ±100 ppm; D = ±25 / ±75 ppm |
| Temperature Range | A = 0°C to 70°C; B = -40°C to 85°C; G = -10°C to 70°C |
| Standard Stability / Pullability | BA = ±25 ppm / 0°C to 70°C, Absolute pull range (APR): ±50 ppm Minimum |
| Duty Cycle | 1 = Tristate 60/40% symmetry; 3 = Tristate 55/45% symmetry |
| Output Load | HCMOS: drive up to 15 pF load; TTL: drive up to 10 TTL gates |
| Logic "1" / Logic "0" Level | 0.9Vcc Minimum / 0.1Vcc Maximum |
| Rise/Fall Time (Tr/Tf) | 5 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p |
| Start-up time | 10 ms Maximum |
| Phase Jitter (RMS, 1 Sigma) | 1 ps Maximum for fj > 1kHz; 0.3 ps Typical for fj = 12KHz to 20MHz |
| Modulation Bandwidth | 12 kHz Minimum at -3 dB |
| Linearity / Slope | ±10% Maximum of best straight line fit / Positive |
| Input Impedance | 10 kOhms Minimum |
| Setability at Fnom, 25°C | +2.5V ±0.5V for 5.0V part; +1.65V ±0.4V for 3.3V part |
| Tristate Function | Input (Pin 2 or 5) High (> 2.2V) or open: Output (Pin 4) active |
| Input (Pin 2 or 5) Low (< 0.5V): Output disabled in high impedance | |
| Enable/Disable Time | Enable: 2 ms Max; Disable: 200 ns Max |
| Creating a Part Number | VC75A-44M736-BBA1 |
Fortiming晶振,VC75晶振,VC75A-44M736-BBA1晶振
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
石英晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
Fortiming晶振,VC75晶振,VC75A-44M736-BBA1晶振 公司將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故，保護(hù)公眾健康的同時，努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動，提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī)。為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件，減少廢物的產(chǎn)生和排放，有效的使用能源和各種自然資源，對緊急事件做好充分準(zhǔn)備，以便及時做出反應(yīng)。
減少污染物排放，對的資源進(jìn)行有效利用。減少廢物的產(chǎn)生，對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理，有效地使用能源。通過設(shè)計工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全。提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息，對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正。
