IDT晶振,OSC晶振,8N3S270晶振，IDT晶振集團,成立于1980年公司發展在各地均設有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市。IDT晶振集團 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程晶體振蕩器,能滿足幾乎任何應用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產品系列是高性能、低抖動時鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動,并可提供多種頻率、性能級別、輸出類型、穩定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級. 對于尋求在壓控晶體振蕩器封裝中提供高性能和的靈活性的時鐘源的高級系統設計者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.IDT Crystal,差分有源晶振,8N3S270晶振
| 項目 | 符號 | 8N3S270晶振規格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 15.476MHz to 1300MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
| 電源電壓 | VCC | 2.5V to 3.3 V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
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| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
| 待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
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| 輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
晶振使用注意事項
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。IDT Crystal,差分有源晶振,8N3S270晶振
IDT 晶振集團環保基本理念：
1.作為良好的企業市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環境.遵守國內外的有關環保法規.
2.保護自然環境,充分關注自然生態等方面的環境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用石英晶體資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.
4為構建循環型社會做出貢獻,致力于減少晶體振蕩器,有源晶振,石英晶振,7050貼片晶振廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環,努力構建循環型社會.
5.在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發和制造過程中使用對環境健康的、可回收利用的材料
6.IDT晶振集團盡可能的采用無害的貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用。IDT Crystal,差分有源晶振,8N3S270晶振
