KDS晶振,2520晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內外提供的質量和滿意程度高.所生產石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創新高效的經營管理,努力創造利潤,履行企業社會責任.
KDS晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。有源晶體振蕩器,車載級有源晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振
項目 | 符號 | DSO223SJ晶振 | 條件 |
輸出頻率范圍 | f0 | 13.5 MHz to 167 MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 | VCC | 1.8v,2.5v,2.8v,3.0v,3.3v,5.0V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 |
工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
H: -20℃ to +70℃ | |||
| |||
頻率穩定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓
| VOH | VCC-0.4V Min. |
|
VOL | 0.4 V Max. |
| |
輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
|
輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
項目 | 符號 | DSO323SJ晶振 | 條件 |
輸出頻率范圍 | f0 | 13.5 MHz to 212.5 MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 | VCC | 1.8v,2.5v,2.8v,3.0v,3.3v,5.0V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 |
工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
H: -20℃ to +70℃ | |||
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頻率穩定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓
| VOH | VCC-0.4V Min. |
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VOL | 0.4 V Max. |
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輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
DSO223SJ晶振尺寸圖
DSO323SJ晶振尺寸圖
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
石英晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。有源晶體振蕩器,車載級有源晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振
通過適當控制環境影響的物質,減少能源的使用,以達到節約能源和節約資源的目的。有效利用石英晶振資源,防止環境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環。通過開展節能活動和減少二氧化碳排放防止變暖。KDS晶振集團認識到進行環境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對環境問題,為保持國際環境而進行各行業建設性的合作是極其重要的。
KDS晶振集團將確保其產品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環保機構的相關法規規定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協助和其他組織從事的環?;顒?。
對我們的貼片型有源晶振產品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環境。公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到、水平。
KDS集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放。我們將在關注于預防環境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環境、健康和安全問題的注意。有源晶體振蕩器,車載級有源晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振