KDS晶振,有源晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發生產:壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,溫補晶振,石英晶體振蕩器系列.
KDS晶振性能穩定,精度高,體積小,在惡劣環境也能正常工作,TCXO溫補晶振溫度穩定度可達±0.5PPM.在普通石英晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數量的高精度寬溫的制作.適合應用一些產品,比如智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
| 項目 | 符號 | DSO531SBM/SBN/SVN晶振 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 0.7 MHz to 90 MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
| 電源電壓 | VCC | 5.0V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
| H: -20℃ to +70℃ | |||
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| 頻率穩定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
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| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
| 待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓
| VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
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| 輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
石英晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
＜光學產品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環境中使用。
KDS晶振集團環保基本理念：
1.作為良好的企業市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環境.遵守國內外的有關環保法規.
2.保護自然環境,充分關注自然生態等方面的環境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.
4為構建循環型社會做出貢獻,致力于減少溫補晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環,努力構建循環型社會.
5.推進環保型業務,充分發揮綜合實力,推進石英晶振,5032晶振環保型業務,為減輕社會的環境負荷做出貢獻.
6.建立環境管理系統,充分運用環境管理系統,設定環境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環境污染.
