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    • SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

    SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

    參考價(jià)
    面議
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    • 型號
    • 品牌
    • 所在地深圳市
    • 更新時(shí)間2025-04-16
    • 廠商性質(zhì)其他
    • 所在地區(qū)
    • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
    • 產(chǎn)品數(shù)量2072
    • 人氣值5437
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    小型貼片石英晶振主要采用了,的晶片的拋光工藝技術(shù),是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝,使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品。
    SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振 產(chǎn)品詳情

    SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

     壓控晶振(VCXO)是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器,其振蕩頻率由晶體決定,可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。

     SHINSUNG晶振-SHNSUNG Crystal成立于1999年,中文為新松晶振,在當(dāng)年12月就開始生產(chǎn)OSC,VCXO,TCXO晶振,并于次年完成高頻100M壓控晶振的目標(biāo),是一家專業(yè)生產(chǎn)時(shí)鐘晶體振蕩器,主要給用戶提供的石英晶振,石英晶體振蕩器32.768K晶振TCXO溫補(bǔ)晶振VCXO壓控晶振有源晶振,無源晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,工業(yè)設(shè)備晶振等頻率元件,數(shù)碼相機(jī)晶振廠家,后期逐漸往小型的Shinsung晶振方向發(fā)展。產(chǎn)品外觀具有小體積石英晶體耐高溫,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè),包括電信,微處理器,汽車,儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用應(yīng)用范圍廣的特點(diǎn),在市場得到廣大群眾的信賴,所生產(chǎn)SHINSUNG晶振均采用優(yōu)異環(huán)保材料,符合國際ROHS指令,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源。

     公司主旨:以顧客為中心,基于價(jià)值的管理,人類和諧的價(jià)值,SHINSUNG在新的加工和測試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供的設(shè)計(jì),追求質(zhì)量管理,并提供持續(xù)的新產(chǎn)品,為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)以滿足客戶在當(dāng)前和未來的需求。

    frequency range 0.75 ~ 160.0MHz 160.1 ~ 800.0MHz REMARK
    frequency stability ± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
    supply voltage VDD 3.3V ± 5%
    input current 100 mA max
    control voltage 1.65V ± 1.65V
    frequency pulling range ± 100ppm min
    operating temperature STD. -10 ~ 70 / Option : -40 ~ 90
    storage temperature -55 ~ 125
    aging ±3.0ppm max at +25 ±3 for first year
    output high level VDD-1.025V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL)
    low level VDD-1.62V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL)
    symmetry 55/45  @ VDD-1.3V (PECL)
    rise / fall time 0.6ns typ. / 1.5ns max ( 20% to 80% of output waveform )
    Intergrate Jitter RMS 1.0ps RMS (max) 2.5ps RMS (max) Intergrated 12KHz to 20MHz
    phase noise @10 Hz -75 -65 offset from carrier
    @100 Hz -95 -95
    @1 KHz -125 -120
    @10 KHz -140 -125
    @100 KHz -145 -121
    start up time 10 mS MAX
    Tristate enable : 0.7 VDD (min)  /  disable : 0.3 VDD (max)

    SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

    熱影響
    重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
    安裝方向
    石英晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.
    通電
    不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
    有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
    負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時(shí),的值這可能會導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
    抗沖擊 
    抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響. 
    耐焊性:
    將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

    SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

    1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境。遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。

    2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性。

    3.有效利用資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用。

    4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會。

    5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。

    6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染。

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