IDT晶振,5032晶振,XLH晶振，IDT晶振集團在RF、高性能定時、存儲接口、實時互聯、光互聯、無線電源及智能傳感器方面的市場導向型產品,是該公司一系列廣泛的通信、計算、消費、汽車和工業領域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設計、生產、銷售場所和經銷合作伙伴遍及,主要生產晶振,石英晶振,有源晶振,溫補晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款有源晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍.IDT晶振,HCMOS晶體振蕩器,XLH晶振
| 項目 | 符號 | XLH晶振規格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 0.750MHz to 250MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
| 電源電壓 | VCC | 2.5V to 3.3 V | 請聯系我們以了解更多相關信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -20℃ to +70℃ | 請聯系我們查看更多資料 |
| H: -40℃ to +85℃ | |||
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| 頻率穩定度 | f_tol | J: ±20 × 10-6 |
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| L: ±50 × 10-6 | |||
| T: ±100 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、工作頻率 |
| 待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
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| 輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
晶振使用注意事項
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。IDT晶振,HCMOS晶體振蕩器,XLH晶振
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
IDT 晶振集團環保基本理念：
IDT 晶振集團采用系統的方法來解決其產品的環境影響開發和銷售擁有利的環境特性同時又滿足可能功效標準的石英晶振,貼片晶振。采用對環境盡可能健康的生產工藝。
無論公司在世界何處,其經營都應保證生產過程和產品符合同等的環境標準，確保業務合作伙伴對環境問題同等關注。從事并參與環境領域的研究和開發活動以公開和客觀的方式提供有關其環境影響的信息
在晶振,石英晶振,5070晶振,壓控振蕩器開發和制造過程中使用對環境健康的、可回收利用的材料為開發高效的、對環境影響最小的運輸系統而工作。
IDT 晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的的環境標準.
IDT 晶振集團將在各領域內的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。IDT晶振,HCMOS晶體振蕩器,XLH晶振
