BDAT-B型高壓電容電橋
主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。
主要可以測(cè)量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tg)和電容量( Cx)以，其測(cè)量線路采用“正接法”即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。
由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，所以本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tg）及介電常數(shù)（ε）。
橋體本身帶有5Kv/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容,測(cè)量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
橋體采用了多樣化的介損測(cè)量線路。
技術(shù)指標(biāo)
測(cè)量范圍及誤差
在Cn＝100pF R4＝3183.2（?）（即10K/π）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tg? 0～1 ±1.5％tg?x±0.0001
在Cn＝100pF R4＝318.3（?）（即1K/π）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tg? 0～0.1 ±1.5％tg?x±0.0001
Ｃｘ＝Ｒ４×Ｃｎ／Ｒ３
tg?＝ω?Ｒ４?Ｃ４
電容量及介損顯示精度：
電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損： ±0.5％tg?x±1×10-4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～5000V/50Hz
高壓電流輸出：0～10mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量為100pF
tg小于5X10-5
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料：
一、 介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
電感：
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
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