日立ArBlade 5000離子研磨系統能夠實現高產量，并制備廣域橫截面樣品。
離子研磨系統使用通過在表面上照射氬離子束引起的濺射效應來拋光樣品的表面。樣品預處理系統可以用于電子和材料等各個領域的研發和質量控制等。
與機械拋光不同，離子研磨系統處理樣品而不會變形或施加機械應力。因此，用于預處理樣品的離子銑削系統的應用范圍不斷擴大，不僅包括掃描電子顯微鏡（SEM），還包括原子力顯微鏡（SPM / AFM）等。離子銑削系統應用范圍廣泛，日立高新收集了用戶在各種領域提供的關鍵性建議和改進，并將它們納入到的設計平臺。
新推出的ArBlade 5000具有混合研磨功能，能夠進行橫截面研磨，是日立離子研磨系統的標志。此功能使樣品能夠根據所需的目的和應用進行預處理。
ArBlade 5000還具有PLUS II離子槍技術設計。這是一種新的氬離子槍，可以實現了1mm/hr以上的截面銑削速度（日立高新的IM4000Plus型號的兩倍）。新系統使用戶能夠在比以前更短的時間內準備橫截面，包括陶瓷和金屬等硬質材料，這往往需要較長的加工時間。
此外，日立高新開發了全新的寬區域橫截面研磨，以實現橫截面研磨，研磨寬度為8mm，從而可以制備比以往更大的截面樣品。通過與下一代氬離子槍的協同效應，新的ArBlade 5000可以與市場上可用的任何其他離子系統一起制備廣域橫截面樣品。
主要特點
1.能夠進行橫截面和平面的混合研磨系統。
2.通過PLUS II離子槍技術設計高速氬離子槍實現1mm/hr或更高的橫截面研磨速度。
3.通過使用廣域橫截面研磨，實現寬度達8mm的廣域加工。
4.基于采用LCD觸摸面板的全新控制系統，增強了可操作性。
| 通用 | |
|---|---|
| 使用氣體 | Ar(氬)氣 |
| 加速電壓 | 0～8 kV |
| 截面研磨 | |
| 研磨速率(材料Si) | 1 mm/hr*1以上含 1 mm/hr*1 |
| 研磨寬度 | 8 mm*2 |
| 樣品尺寸 | 20(W) × 12(D) × 7(H) mm |
| 樣品移動范圍 | X ±7 mm、Y 0~+3 mm |
| 離子束間歇加工功能 | 標準配置 |
| 擺動角度 | ±15°、±30°、±40° |
| 平面研磨 | |
| 加工范圍 | φ32 mm |
| 樣品尺寸 | φ50 × 25(H) mm |
| 樣品移動范圍 | X 0～+5 mm |
| 離子束間歇加工功能 | 標準配置 |
| 旋轉速度 | 1 r/m、25 r/m |
| 傾斜角度 | 0～90° |
*1
Si突出遮擋板邊緣100 µm，1個小時加工深度
*2
使用廣域截面研磨樣品座時
選配
| 項目 | 內容 |
|---|---|
| 高耐磨遮擋板 | 耐磨遮擋板是標準遮擋板的2倍左右(不含鈷) |
| 加工監測用顯微鏡 | 放大倍率 15×～100× 雙目型、三目型(可加裝CCD) |
