1、產(chǎn)品特點(diǎn)：
PILATUS3 R CdTe系列結(jié)合了無噪聲單光子計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和在大型碲化鎘（CdTe）傳感器中直接檢測(cè)硬X射線的優(yōu)點(diǎn)。
與閃爍體的檢測(cè)器相比，混合像素中的直接檢測(cè)產(chǎn)生更銳利的信號(hào)和更好的空間分辨率。 CdTe為Mo，Ag和In輻射提供接近100％的吸收效率。結(jié)合無噪聲單光子計(jì)數(shù)，這將實(shí)驗(yàn)室中的X射線檢測(cè)帶入了一個(gè)新的靈敏度和準(zhǔn)確度水平。
實(shí)驗(yàn)室中的X射線源，尤其是硬X射線的X射線源比同步加速器弱得多，因此需要較長的曝光時(shí)間并導(dǎo)致較弱的信號(hào)，由于沒有暗電流和讀出噪音，PILATUS3 R探測(cè)器超過了實(shí)驗(yàn)室的所有其他技術(shù)。單光子計(jì)數(shù)不含所有其他噪聲源以及CMOS電容檢測(cè)器內(nèi)置的不準(zhǔn)確性，例如復(fù)位噪聲和非線性電荷響應(yīng)。相反，由DECTRIS Instant Retrigger Technology提供了較快的計(jì)數(shù)能力，結(jié)合精確的計(jì)數(shù)率校正提供寬泛的線性范圍，兼容所有實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用和的X射線源。
具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用（如電荷密度研究和配對(duì)分布函數(shù)分析）依靠硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù)，PILATUS3 R CdTe探測(cè)器系列提供了高效直接探測(cè)和無噪聲單光子計(jì)數(shù)的組合，并且是實(shí)驗(yàn)室中這些要求的更高匹配。
2、核心優(yōu)勢(shì)
- Mo，Ag和In量子效率> 90％
- 直接檢測(cè)清晰的空間分辨率
- 沒有讀出噪音，也沒有黑暗信號(hào)達(dá)到較高精度
- 高動(dòng)態(tài)范圍
- 熒光背景抑制
- 計(jì)數(shù)率
- 同步輻射級(jí)別的輻射硬度
- 免維護(hù)運(yùn)行
- 高可靠性：沒有容易發(fā)生故障的密封，無需冷卻至室溫以下
3、應(yīng)用領(lǐng)域
- 電荷密度分析
- 對(duì)分布函數(shù)（PDF）分析
- 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
- 高壓/高溫XRD
- 關(guān)鍵尺寸SAXS
- 計(jì)算機(jī)斷層掃描（CT）
- 無損檢測(cè)（NDT）
技術(shù)參數(shù)：
| PILATUS3 R CdTe | 1M | 300K | 300K-W | 100K |
| 探測(cè)器模塊數(shù)量 | 2 × 5 | 1 × 3 | 3 × 1 | 1 × 1 |
| 有效面積：寬×高 [mm2] | 168.7 x 179.4 | 83.8 × 106.5 | 253.7 x 33.5 | 83.8 x 33.5 |
| 像素大小 [μm2] | 172 x 172 | |||
| 總像素?cái)?shù)量 | 981 x 1043 | 487 × 619 | 1475 × 195 | 487 x 195 |
| 間隙寬度, 水平/垂直（像素） *每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素 | 7* / 17 | - */ 17 | 7* / - | -* / - |
| 非靈敏區(qū) [ % ] | 7.8 | 5.7 | 1.1 | 0.2 |
| 缺陷像素 | < 0.1% | |||
| 幀頻 [Hz] | 5 | 20 | 20 | 20 |
| 讀出時(shí)間 [ms] | 7 | |||
| 點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel（FWHM） | |||
| 計(jì)數(shù)器深度 | 20 bits（1,048,576 counts） | |||
| 功耗 [W] | 165 | 30 | 30 | 30 |
| 尺寸（WHD）[mm3] | 265 x 286 x 455 | 158 x 193 x 262 | 280 x 62 x 296 | 114 x 69 x 118 (探頭) |
| 重量 [kg] | 25 | 7.5 | 7.0 | 0.9（探頭） |
| 模塊冷卻 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
| 外接觸發(fā)電壓 | 5V TTL | 5V TTL | / | / |
