容器中存在兩種不同介質(zhì)，當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時，高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質(zhì)時，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導(dǎo)波雷達是可以測量兩種不同介質(zhì)的介面，其測量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。
產(chǎn)品特點
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術(shù)，導(dǎo)波雷達物位計可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式，使得ULS3X系列導(dǎo)波雷達物位計適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。
采用脈沖工作方式，導(dǎo)波雷達物位計發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi)，對人體及環(huán)境均無傷害。
技術(shù)參數(shù)
特 征： 同軸式導(dǎo)波天線，獲得更小的盲區(qū)、更強的回波信號。
應(yīng) 用： 能適應(yīng)小量程，多蒸汽，小介電常數(shù)介質(zhì)的測量。適應(yīng)過程條件復(fù)雜的環(huán)境。
zui大量程： 6m
測量精度： ±10mm
過程連接： G1½A/G2A
探測組件材料： 不銹鋼316L /PTFE
同軸外徑： Φ28mm
過程溫度： -40…150°C
過程壓力： -1.0…40bar
信號輸出： 兩線制 4…20mA/HART
選型標準
ULS33
許可證
P 標準型（非防爆）
I 本安型（Exia IIC T6）
C 本安型+船用許可證（Exia IIC T6）
G 本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）
探測組件型式/材料
A 同軸式/不銹鋼316L
過程連接/材料
GP 螺紋 G1½A
KP 螺紋 G2A
NP 螺紋 1½NPT
YP 特殊制定
密封/過程溫度
A Viton 氟橡膠/（-30～150)℃
B Kalrez全氟化橡膠/（-40～150）℃
電子組件
B (4～20)mA/HART兩線制
C (4～20)mA/(22.8～26.4)V DC /HART兩線/四線制
D (198～242)V AC/HART四線制
外殼/防護等級（注）
A 鋁/IP67
B 塑料/IP66
D 鋁兩腔/IP67
G 不銹鋼316L/IP67
電纜進線
M M20x1.5
N ½NPT
現(xiàn)場顯示/編程
A 帶
X 不帶
纜（棒）長
4位數(shù)字（單位：mm）
注：本安型（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“A”型外殼；本安+船用許可證（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“G”型外殼；本安+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）只限用“C”“D”電子組件及“D”型外殼；標配法蘭大小參照GB/T9119-2000 PN1.6MPa尺寸，厚度為15。
