針對(duì)COMS,CCD等影像傳感器開發(fā)，適合多種規(guī)格的芯片傳感器的量子效率測(cè)量。
1.可量測(cè)單一像素點(diǎn)的量子效率。
2.可量測(cè)全數(shù)組像素量子效率。
3.可產(chǎn)生各種所需單色光均勻光源，自動(dòng)化校正各單色光、特定單色光入射光子數(shù)。
4.選配：可加配CRA載臺(tái)，用以測(cè)試chief ray angle。
5.選配：軟件可配合用戶需求修改。
6.為全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)易。
主要可測(cè)量的參數(shù)：
1.系統(tǒng)增益System gain(K)
2.量子效率Quantum efficiency
3.飽和照射光子數(shù)
4.最小可探測(cè)照射光子數(shù)
5.動(dòng)態(tài)范圍(DR)
6.暗電流
7.線性度和線性誤差Linear-Error
8.光電響應(yīng)不均勻度PRNU
9.暗信號(hào)不均勻度 DSNU
系統(tǒng)優(yōu)勢(shì):
QE-IS系統(tǒng)采用光焱科技研發(fā)多年的單色光均光系統(tǒng)具備下列多項(xiàng)優(yōu)勢(shì):
- 高均勻度
可產(chǎn)生高均勻度的單色光光斑，在10x10mm2面積內(nèi)均勻度可以>99%，在20x20mm2面積內(nèi)仍可維持在>98%。與積分球系統(tǒng)相較，具有更佳的均勻度表現(xiàn)。
*QE-IS均光面的光強(qiáng)分布圖。
- 高光強(qiáng)度、高訊噪比
QE-IS高效率均光系統(tǒng)，以550nm單色光為例，在QE-IS系統(tǒng)光均面的光強(qiáng)度可>5 uW/cm2，相較于積分球系統(tǒng)的單色光強(qiáng)僅1x10-8 uW/cm2，兩者差距千萬(wàn)倍，QE-IS系統(tǒng)量測(cè)具備的訊噪比，可精確測(cè)出感光組件的量子效率等相關(guān)光學(xué)特性。
- 可作單像素QE量測(cè)
因QE-IS單色光強(qiáng)度足夠(5 uW/cm2@550nm)，打在1 um的像素單元，產(chǎn)生的光電流約在20 pA，相較于積分球系統(tǒng)產(chǎn)生的單一像素光電流在sub-fA以下，QE-IS系統(tǒng)可直接用于量測(cè)數(shù)組感光組件上，任何單一像素的量子效率。
- 可作全數(shù)組像素QE量測(cè)
除單一像素量測(cè)，QE-IS可整合或是被整合于使用者自行開發(fā)的感光組件的數(shù)字電路訊號(hào)，以量測(cè)全數(shù)組像素QE。
- 可作CRA量測(cè)
QE-IS的均勻單色光發(fā)散角度< 5度，相較積分球的發(fā)散角度 >90度，搭配選配的旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，即可量測(cè)CRA(Chief Ray Angle)特性。無(wú)需額外添購(gòu)系統(tǒng)，方便整體的量測(cè)。
| 項(xiàng)目 | QE-IS 光學(xué)系統(tǒng) | 傳統(tǒng)積分球系統(tǒng) |
| 光均面均勻度 | > 99 % | > 99% |
| 光均面位置 | 距均光系統(tǒng)出口300 mm | 積分球開口處 |
| 光均面光強(qiáng)度 | > 5 uW/cm2 | 1x10-8 uW/cm2 (1米積分球) |
| 單像素QE量測(cè) | 可(光強(qiáng)足夠) | 否(光強(qiáng)度過(guò)低) |
| 發(fā)散角度 (半角) | < 5度 | > 90度 |
| 可否量測(cè)CRA | 可 | 否 |
產(chǎn)品規(guī)格
1.適用影像組件尺寸: 1/4"、1/3"、1/2"、2/3"、1"
2.單色光光譜范圍: 200~1100 nm (可擴(kuò)充)
3.均勻光源規(guī)格: 10 mm x 10 mm或更大
4.光均勻度> 99 %
5.單色光源角度: < 2.50 (半角)
6.最小波長(zhǎng)步進(jìn)分辨率：0.1 nm
7.波長(zhǎng)FWHM 可做0.1~30 nm調(diào)整
8.CRA角度精度?1度
*QE 量測(cè)結(jié)果
*CRA 量測(cè)結(jié)果
