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    • 大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統

    SCR-DC8000 大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統

    參考價
    面議
    具體成交價以合同協議為準
    • 型號SCR-DC8000
    • 品牌其他品牌
    • 所在地西安市
    • 更新時間2024-03-21
    • 廠商性質生產廠家
    • 所在地區西安市
    • 實名認證已認證
    • 產品數量70
    • 人氣值1133
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          “半導體檢測”系列產品覆蓋半導體功率器件的初始研發到規模量產再到應用端的全產業鏈。服務領域包括半導體器件及IC上游產業(設計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應用端產業(院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等......)應用場景主要有器件及IC研發期預演測試、晶圓廠自動化芯片測試、器件及IC后道封裝測試。應用端的來料檢驗、失效分析、器件選型、參數配對、壽命預估等。


         “環境試驗設備”包括力學振動臺、沖擊試驗臺、振動溫度濕度三綜合、高低溫環境試驗箱、各類氣候環境試驗箱、熱流儀、精密實時在線高低溫箱。


         “電氣工程”產品系列及服務包括電力半導體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測設備;電氣自動化設備,電冶、電化學整流裝置;電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源,感應加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設備;晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器;遠距離光電傳感轉換軟件控制系統;光電脈沖觸發板、IGBT智能高壓驅動機車調速匯報板;SVC無功靜補裝置等。

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    產地國產 加工定制 適用行業電子電器
    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000可測設定前沿電流和后沿電流的壓降。可測門檻電壓和斜率電阻
    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統 產品詳情

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

     

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

    基礎信息

     

    ü門極觸發:VGT、IGT

    ü維持電流:IH、IL

    ü阻斷參數:VD、VR、ID、IR

    ü壓降參數:VTM、ITM

    ü電壓上升率:dv/dt

    ü電流變化率:di/dt

    ü關斷時間:Tq

    ü恢復電荷:Qr、Irr、Trr

     

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

    主要量程

    ?陽極電壓:12V

    ?陽極串聯電阻:12Ω

    ?門極觸發電壓:0.3—5.00V

    ?門極觸發電流:1—500mA

    ?維持電流:1—500mA

    ?擎住電流:5—1000mA

    ?通態電流:600—8000A

    ?通態壓降:0.3—9.99V

    ?阻斷電壓:200—8000V

    ?正反向漏電流:1—250mA

    ?dv/dt箝位電壓VDM:500~4KV

    ?電壓上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

    ?通態電流:200—2000A

    ?反向電壓:50—200V

    ?再加電壓:500—3000V

    ?關斷時間:4—1500μS

    ?反恢電荷:200μQ—15000μQ

    ?再加電壓上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS

    ?di/dt:10A/μS、20A/μS,

     

     

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

    氣動夾具

    ?壓力方式:氣壓

    ?壓力范圍:10~60KN

    ?壓力分辨率:0.1KN

    ?控溫范圍:70~180℃

    ?控溫精度:70℃—125℃±1.0℃

    ?控溫精度:125℃—180℃±1.5℃

    ?溫度分辨率:0.1℃

    ?夾頭耐壓:10KV

    ?夾頭行程:≥80mm

    ?臺面直徑:大于Φ130mm

    ?夾頭找平:≥1mm

    ?夾頭平面度:≤20μm

    ?導柱間跨距:≥310mm

    ?夾頭電流:10000A

    ?夾頭極性:上為陰極,下為陽極

    ?采樣:上下夾頭采樣頂針同軸

    ?電源:AC50HZ/220V功率≤5KW 

    ?夾具可安裝適配器,應對不同封裝

     

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

    系統單元

    ?門極觸發參數測試單元

    ?維持電流測試單元

    ?擎住電流測試單元

    ?阻斷參數測試單元

    ?通態壓降參數測試單元

    ?電壓上升率參數測試單元

    ?關斷時間參數測試單元

    ?恢復電荷參數測試單元

    ?自動熱穩態壓力夾具

    ?計算機控制系統

    ?PLC控制系統

     

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

    性能指標

    通態壓降測試

    通態電流:600—8000A±3%±10A;

    通態壓降:0.3—9.99V±3%±10mV;

    電流達到電流峰值的時間:≥5ms

    可測設定前沿電流和后沿電流的壓降。可測門檻電壓和斜率電阻

    (此功能由單獨“通態特性曲線”測試程序完成)

    測試頻率:單次

    計算機顯示:ITM/IFM,VTM/VFM數值

    dv/dt測試

    dv/dt箝位電壓VDM:500—4000V,數碼設定,數字表顯示。

    dv/dt箝位電壓VDM靜態精度:±5%

    電壓上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

    電壓上升率誤差:±10%(在再加電壓2000V(負載電容2.2nF)

    下作為考核點)過壓時間超過0.5us的瞬態電壓<200V。

    信號指示:具有測試信號指示、通過指示、失敗指示。

    測試頻率:約0.5HZ;電壓近似線性上升率"

    高壓伏安特性

    阻斷電壓:200—8000V±3%±10V;

    電壓分辨率:0.01KV

    正反向漏電流:1—250mA±3%±0.1mA;

    正反向漏電流分辨率:0.1mA;

    顯示阻斷特性曲線,設備有輸出電壓和電流保護功能。

    測試頻率:5或50HZ

    電壓調節:手動調節計算機顯示阻斷電壓和漏電流數值

    門極觸發特性

    陽極電壓:12V

    陽極串聯電阻:12Ω

    門極觸發電壓:0.3—5.00V±5%±10mV;

    門極觸發電流:1—500mA±5%±1mA;

    測試頻率:單次計算機顯示VGT、IGT數值

    擎住電流

    陽極電壓:12V

    擎住電流:5—1000mA±5%±1mA;

    計算機顯示:IL數值

    維持電流

    陽極電壓:12V

    維持電流:1—500mA±5%±1mA;

    測試頻率:單次預導通電流:約10A、20A和40A三檔

    計算機顯示:IH數值

    關斷時間及恢復電荷

    通態電流:200—2000A±5%(數碼設定),

    脈寬4Ms。

    反向電壓:50—200V

    反向設定電壓靜態精度±5%(數碼設定);

    再加電壓:500—3000V

    再加電壓靜態設定精度±5%(數碼設定);

    關斷時間:4—1500μS±5%±1μS;

    反向恢復電荷:大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ;

    重復性:快速晶閘管±50μQ;普通晶閘管±100μQ;

    再加電壓上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS三檔。

    ±10%再加電壓在1000V(負載電容2.2nF)下作為考核點。

    電壓上升率按指數法計算。

    反向電流di/dt:10A/μS、20A/μS,精度±15%,電流在

    1500A下作為考核點。

    測試頻率:約0.5HZ;

    配有電壓電流的校驗程序(僅供校驗用)"

     

    大功率可控硅靜態動態參數綜合測試系統SCR-DC8000

    關鍵詞:控制系統
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    產品名稱參考價地區公司名稱更新時間 
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