半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測試臺的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)，普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢：
單臺Z大3500V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測試；
系統(tǒng)指標(biāo)
項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3500V |
Z大電流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15us | |
大電流脈寬 | 50us~500us | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 300V |
Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
精度 | 0.05% | |
Z小電壓分辨率 | 30uV | |
Z小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | 0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ | |
測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試設(shè)備集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
選擇普賽斯儀表的理由
武漢普賽斯是國內(nèi)最早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過了市場的考驗(yàn)、市面有近500臺源表在使用；
普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測試，3500V電壓下可測量皮安級漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。
