半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產品,半導體電性能IV+CV測試儀認準生產廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯五合一高精度數字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具，接線簡單、方便操作
產品曲線圖：
利用數字源表簡化半導體分立器件特性參數測試
豐富的半導體IV特性測試行業經驗；
全面的解決方案：二極管、MOSFET、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等；
提供適當的電纜輔件和測試夾具……
普賽斯S系列數字源表優點：
同時精確提供和測量電壓和/或電流；
同步測量，減少測試時間
提供和測量非常廣的電流和電壓；
電壓測試范圍30uV-300V,電流測試范圍1pA-1A
支持運行用戶腳本程序，無需電腦控制，提高生產測試速度；
序列測試，簡化操作，降低成本
采用用戶熟悉的圖形界面，不管用戶經驗是否豐富，使用起來都非常簡便；
觸屏操作
與傳統電源比：
電源過零需要改變線連接方式；
增加需反復開關機械開關，降低了設備可靠性
電壓電流限制精度有限；
電壓1%，電流10mA
與電源結合萬用表組合比：
萬用表電源組合需要編程實現設備控制及同步；
復雜連線、編程開發
電源限壓限流性能差
限壓限流精度低，瞬態特性也無法保證
有關半導體電性能IV+CV測試儀的更多信息，找普賽斯儀表為您解答，普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！
