高溫氧化爐

高溫氧化爐   

擴散爐應用于大規模集成電路、電力電子器件、光電子器件、半導體器件、光導纖維及太陽能電池等行業的氧化、擴散、燒結、合金等工藝，可用于3-12英寸工藝尺寸。

主要技術指標：

爐管數：1～4管

配工藝管口徑：Φ90～360 mm (3～12英寸)

恒溫區長度： 760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃)  760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)

單點穩定性： ±1.0℃/24h (300～800℃)    ±0.5℃/24h (800～1280℃)

氣源路數：    ≤7路，可配恒溫源瓶、氫氧合成點火器

氣體控制：    浮子/質量流量計

懸臂舟參數：速度：    20～1000 mm/min    

        行程：2000 mm    

        定位精度：±1 mm    

        載荷：17 Kg

超凈工作臺： 凈化等級：100級（萬級廠房）

噪音：    ≤62dB（A）

振動：    ≤3μm

設備特點：單元組合方式。根據工藝的不同，可以在主機的基礎上配氣源柜、超凈工作臺、懸臂推拉舟等。  

晨立高溫氧化爐設備,技術和質量已達國際水平,受到半導體設備制造企業和半導體行業高度關注.可替代國外同規格產品滿足不同工藝的要求。