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SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio
SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT
| 產(chǎn)品名稱 | 參考價(jià) | 地區(qū) | 公司名稱 | 更新時(shí)間 | |
|---|---|---|---|---|---|
| R-200 Advance 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| R-200 Standard 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| P-300B 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-10 | 在線詢價(jià) |
| 芬蘭Picosun原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 廣州市 | 廣州納儀科技有限公司 | 2024-05-12 | 在線詢價(jià) |
| 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-19 | 在線詢價(jià) |
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