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    • 肖特基二極管

    肖特基二極管

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    具體成交價以合同協議為準
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    • 所在地
    • 更新時間2023-07-13
    • 廠商性質其他
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    重要參數 多結芯片低 1/F 噪聲小結電容用于混頻器、檢測器、倍增器和調制器。訂貨周期 2-4周
    肖特基二極管 產品詳情

    Low Barrier Schottky Diodes

    Part NumberBreakdown
    Voltage
    @ 10 μA
    MIN
    (V)
    Forward
    Voltage
    @ 1 mA
    MAX
    (V)
    Junction
    Capacitance
    @ 0 Vdc 1 Mhz
    TYP
    (pF)
    Series
    Resistance
    @ 5 mM
    TYP
    (Ohms)
    Tangential
    Signal
    Sensitivity
    TYP
    (dB)
    SLB1003.00.2500.1420.0-55
    SLB1013.00.2800.2020.0-52
    SLB1023.00.3000.1220.0-50
    SLB1033.00.3200.1420.0-48
    SLB1043.00.2500.1520.0-55
    SLB1053.00.2800.1520.0-52
    SLB1063.00.3000.1220.0-50
    SLB1073.00.3200.1420.0-48
    SLB1083.00.2500.1420.0-55
    SLB1093.00.2800.1520.0-52
    SLB1103.00.3000.1420.0-50
    SLB1113.00.3200.2520.0-48
    SLB1124.00.2500.2020.0-55
    SLB1134.00.2800.1520.0-52
    SLB1144.00.3000.1220.0-50
    SLB1154.00.3200.150.35-48

    Medium Barrier Schottky Diodes

    Part NumberBreakdown
    Voltage
    @ 10 μA
    MIN
    (V)
    Forward
    Voltage
    @ 1 mA
    MAX
    (V)
    Junction
    Capacitance
    @ 0 Vdc 1 Mhz
    TYP
    (pF)
    Series
    Resistance
    @ 5 mM
    TYP
    (Ohms)
    Tangential
    Signal
    Sensitivity
    TYP
    (dB)
    SMB2003.00.4000.1420.0-52
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    SMB2155.00.4750.1520.0-45

    High Barrier Schottky Diodes

    Part NumberBreakdown
    Voltage
    @ 10 μA
    MIN
    (V)
    Forward
    Voltage
    @ 1 mA
    MAX
    (V)
    Junction
    Capacitance
    @ 0 Vdc 1 Mhz
    TYP
    (pF)
    Series
    Resistance
    @ 5 mM
    TYP
    (Ohms)
    Tangential
    Signal
    Sensitivity
    TYP
    (dB)
    SHB3005.00.5000.1425.0-52
    SHB3015.00.5000.2025.0-50
    SHB3025.00.5000.1225.0-48
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    SHB3106.00.5500.1425.0-48
    SHB3116.00.5500.2525.0-45
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    SHB3136.00.6000.1525.0-45
    SHB3146.00.6000.1225.0-42
    SHB3156.00.6000.1525.0-40

    Maximum Ratings

    Operating TemperatureStorage TemperaturePower Dissipation @ 25oC
    -55oC to +150oC-65oc to +200oC250mW
    (derate linearly to zero at 150o C)


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